全桥单向DC-DC变换器中，MOSFET漏源电压波形如图所示振荡很严重，这种现象在1kHz的时候不明显，50khz的时候如图所示很明显，请问是为什么？
2022-04-25 11:19
1、电压负载 在具有直流稳压大功率电路的应用中，通常首先考虑选择漏源电压VDS。这里的理由是，在实际工作环境中，MOSFE
2021-11-12 08:12
康华光主编的模电中讲到N型的增强型MOSFET、耗尽型MOSFET、JFET。关于漏极饱和电流的问题，耗尽型MOSFET、JFET中都有提到，都是在栅
2019-04-08 03:57
各位大神，可否用IR2113 驱动共源集MOSfet ,且mosfet关断时，源集漏集
2017-08-16 16:03
℃的工作温度、漏极和源极不发生雪崩击穿时，所能施加的最大的额定电压，测试的电路如图1所示。功率MOSFET的耐压由结构中低掺杂层的外延层epi厚度N-决定。功率
2023-02-20 17:21
的反向阻断和导通特性有明显的影响。 为分析和表述方便，定义栅极到源极（就是栅极到体端）的电压为UGS，漏极到源极的
2024-06-13 10:07
℃的工作温度、漏极和源极不发生雪崩击穿时，所能施加的最大的额定电压，测试的电路如图1所示。关于雪崩击穿问题将在雪崩能量的相关章节专门的讨论。 图1：BVDSS测试电路功率MOS
2016-09-06 15:41
`功率Mosfet参数介绍V(BR)DSS（有时候叫做BVDSS）是指在特定的温度和栅源短接情况下，流过漏极电流达到一个特定值时的漏
2012-01-12 16:12
占据的耗尽区与施主原子相连。因此，负 (-) 栅极电压会将空穴从漏极区域和p+源极吸引到沟道区域。主要类型目前有两种类型的P沟道MOSFET可用，即P沟道增强型
2022-09-27 08:00
至nVo。因此初级总漏感Lk（即Lkp+n2×Lks)和Coss之间发生谐振，产生高频和高压浪涌，MOSFET上过高的电压可能导致故障。反激式转换器可以工作在连续导通模式(CCM)（如图2）和不连续导
2018-10-10 20:44
