，当电压在两个电极之间反向施加时，MOSFET会进入反向电阻工作区，这可能导致器件损坏甚至燃烧。 反向电阻是指在
2023-10-26 11:38
全桥单向DC-DC变换器中，MOSFET漏源电压波形如图所示振荡很严重，这种现象在1kHz的时候不明显，50khz的时候如图所示很明显，请问是为什么？
2022-04-25 11:19
1、电压负载 在具有直流稳压大功率电路的应用中，通常首先考虑选择漏源电压VDS。这里的理由是，在实际工作环境中，MOSFE
2021-11-12 08:12
漏极外接二极管（Drain-Source Diode，简称D-S二极管）在MOSFET电路中起到了重要的作用，本文将介绍MOSFET源极和
2024-01-31 13:39
分立MOSFET数据手册中最突出的规格之一是漏极 - 源极导通电阻，缩写为R DS （on）。这个R DS （on）的想法看起来非常简单：当FET截止时，源极和
2021-05-15 09:49
在N沟道MOSFET中，源极为P型区域，而在P沟道MOSFET中，源极为N型区域。在MOSFET的工作中，
2023-02-21 17:52
各位大神，可否用IR2113 驱动共源集MOSfet ,且mosfet关断时，源集漏集
2017-08-16 16:03
用N沟道MOSFET设计反向电压保护电路
2022-04-29 17:59
用P沟道MOSFET设计反向电压保护电路
2022-04-29 17:42
康华光主编的模电中讲到N型的增强型MOSFET、耗尽型MOSFET、JFET。关于漏极饱和电流的问题，耗尽型MOSFET、JFET中都有提到，都是在栅
2019-04-08 03:57
