(1)由于肖特基势垒的高度低于PN结势垒，肖特基二极管的正向传导阈值电压和正向压降均低于PN结势垒，约低0.2V。(2)由于肖特基二极管是一种大多数载流子导电器件，不存在少数载流子寿命和反向恢复问题。肖特基二极管规格
2022-01-18 10:35
在某些半导体材料的PN结中，注入的少数载流子与多数载流子复合时会把多余的能量以光的形式释放出来，从而把电能直接转换为光能。PN结加反向电压，少数载流子难以注入，故不发光。这种利用注入式电致发光
2020-08-18 07:21
中的自由电子是大多数载流子。在p材料中产生的少数自由电子和通过热搅拌，光子和其他原因在N材料中产生的少数空穴（在图1中用正方形内的符号表示）是少数载流子。 P-N结
2023-02-23 16:46
谁来阐述一下mosfet是电压型器件吗
2019-10-25 15:58
数量以及扩散到P型侧的电子数量。额外的势垒高度不会影响少数载流子的流动 - P型侧的电子和n型侧的空穴 - 因为它们从山上掉下来。总而言之，扩散电流Id有相当大的减少。一伏左右的反向偏置电压足以消除
2023-02-22 17:19
。SiC MOSFET与IGBT的一个主要区别在于器件何时关闭。要完全关闭，IGBT需要彻底清除其少数载流子。当IGBT已经关闭并且集电极和发射极两端的电压达到最大值时，最后一次传输就会发生，因此它对
2023-02-24 15:03
` 谁来阐述一下mosfet是什么型器件？`
2019-10-25 16:06
今天我们来聊聊碳化硅器件的特点
2021-03-16 08:00
时，通过二极管的电流是少数载流子漂移运动所形成反向电流。由于反向电流很小，二极管处于截止状态。这个反向电流又称为反向饱和电流或漏电流。二极管的反向饱和电流受温度影响很大。一般硅管的反向电流比锗管小得多，小功
2022-01-25 10:33
电力半导体器件的分类
2019-09-19 09:01
