在N型半导体中，自由电子为多数载流子，空穴为少数载流子;在P型半导体中，空穴为多数载流子，自由电子为少数载流子。
2020-05-05 08:15
表征通过准稳态光电导测量来完成，这揭示了所得表面状态和少数载流子寿命之间的相关性。测量的表面粗糙度表明，23%重量的氢氧化钾溶液具有高的少数载流子寿命。
2022-04-24 14:59
场效应管（FET）是利用输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件。与之前的三极管不同，三极管采用两种载流子运动工作被称为双极型晶体管，属于电流控制器件，而场效应管则是采用半导体中的多
2023-03-02 10:27
温度变化对半导体器件的影响：构成双极型半导体器件的基本单元P-N结对温度的变化很敏感，当P-N结反向偏置时，由少数载流子形成的反向漏电流受温度的变化影响，其关系为：
2021-01-09 11:12
如果PN结加反向电压，如右图所示，此时，由于外加电场的方向与内电场一致，增强了内电场，多数载流子扩散运动减弱，没有正向电流通过PN结，只有少数载流子的漂移运动形成了反向电流。由于少数载流子为数很少，故反向电流是很微弱
2019-09-04 09:25
MOSFET （Metal -Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）是金属-氧化物半导体场效应晶体管的英文缩写，由多数载流子参与导电，也称为单极型
2023-11-07 14:51
n沟道E-MOSFET，当栅电压使得p型半导体表面能带向下弯曲到表面势ψs≥2ψB时，即可认为半导体表面强反型，因为这时反型层中的少数载流子(电子)浓度就等于体内的多数载流子浓度(～掺杂浓度);这里
2019-01-27 10:42
一般的晶体管是由两种极性的载流子，即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电，因此称为双极型晶体管，而FET仅是由多数载流子参与导电，它与双极型相反，也称为单极型晶体管。
2019-06-19 15:13
（VLSI）设备采用的设计方式有极大的不同，它仍然采用了与VLSI电路类似的半导体加工工艺。金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)从70年代的初级场效应晶体管发展而来。图1描述了MOSFET的器件原理图，传输特
2023-06-17 14:24
场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管。场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是既有多
2019-06-24 11:33
