通过电导率调制，向漂移层内注入作为少数载流子的空穴，因此导通电阻比MOSFET还要小，但是同时由于少数载流子的积聚，在Turn-off时会产生尾电流，从而造成极大的开关损耗。 SiC
2023-02-07 16:40
电导率调制，向漂移层内注入作为少数载流子的空穴，因此导通电阻比MOSFET还要小，但是同时由于少数载流子的积聚，在Turn-off时会产生尾电流，从而造成极大的开关损耗。SiC
2019-05-07 06:21
限制到小于 10KHz 的应用，并且在整体效率成为关键参数的技术前沿应用中，它们正加速退出。 作为双极型器件，三极管依赖于被注入到基极的少数载流子来“击败”(电子和空穴)复合并被再次注入集电极
2025-06-03 15:39
，或者温度越高，恢复时间和恢复电流就越大，从而损耗也越大。与此相反，SiC-SBD是不使用少数载流子进行电传导的多数载流子器件（单极性器件），因此原理上不会发生
2019-03-14 06:20
电路设计的驱动电路。 功率 MOSFET 对驱动电路的要求: 功率 MOSFET 是电压型驱动器件[2]，没有少数载流子的存贮效应，输入阻抗高，因而开关速度可以很
2025-03-27 14:48
、GTO；2、电子控制型，例如GTR、MOSFET、IGNT。四、按照电力电子器件内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况分类：1、双极型
2017-01-19 20:49
电导率调制，向漂移层内注入作为少数载流子的空穴，因此导通电阻比MOSFET还要小，但是同时由于少数载流子的积聚，在Turn-off时会产生尾电流，从而造成极大的开关损耗。SiC
2019-04-09 04:58
，简称多子，空穴是少数载流子简称少子，对于空穴型半导体，空穴是多子，电子是少子。特殊的导电形式，使半导体得到了广泛的应用，被制成各种各样的元件。如pn结的形成。
2019-12-06 08:57
，或者温度越高，恢复时间和恢复电流就越大，从而损耗也越大。与此相反，SiC-SBD是不使用少数载流子进行电传导的多数载流子器件（单极性器件），因此原理上不会发生
2019-05-07 06:21
半导体器件。上次从IGBT的名称入手，搞清楚了IGBT栅极和双极性所包含的背后意义。这次我们从IGBT的定义出发，来看看为什么说IGBT是由BJT和MOSFET组成的器件？它们之间有什么区别和联系？在
2023-02-10 15:33
