半导体少数载流子产生的原因是？ 半导体材料是现代电子学的基础，它的特殊之处在于，它的电导率介于导体和绝缘体之间。一个半导体中的电子会以一种特定的方式移动，这是由于半导体材料的晶体结构和原子构造所
2023-09-19 15:57
中微量铁和铜的影响。这些晶片受到了与超大规模集成技术相关的受控量的铁和铜表面污染。衬底掺杂类型对金属杂质的影响很大。正如所料，Fe会大大降低p型衬底的少数载流子寿命
2021-12-15 09:28
则是正空穴。多数载流子对于半导体器件的性能和特性具有重要的影响，因此对多数载流子的研究和认识是半导体物理学的重要内容。 n型半导体是指在原本的半导体中，加入了一个杂质元素，使得半导体材料中的带电粒子变得不平衡。n型半
2023-09-19 15:57
通过电导率调制，向漂移层内注入作为少数载流子的空穴，因此导通电阻比MOSFET还要小，但是同时由于少数载流子的积聚，在Turn-off时会产生尾电流，从而造成极大的开关损耗。 SiC
2023-02-07 16:40
电导率调制，向漂移层内注入作为少数载流子的空穴，因此导通电阻比MOSFET还要小，但是同时由于少数载流子的积聚，在Turn-off时会产生尾电流，从而造成极大的开关损耗。SiC
2019-05-07 06:21
限制到小于 10KHz 的应用，并且在整体效率成为关键参数的技术前沿应用中，它们正加速退出。 作为双极型器件，三极管依赖于被注入到基极的少数载流子来“击败”(电子和空穴)复合并被再次注入集电极
2025-06-03 15:39
总结了几种热载流子,并在此基础上详细讨论了热载流子注入(HCI) 引起的退化机制。对器件寿命预测模型进行了总结和讨论。为MOSFET 热
2012-04-23 15:33
拥有30年发展史的硅功率MOSFET 功率MOSFET作为双极晶体管的替代品最早出现于1976年。与那些少数载流子器件
2010-09-30 10:35
在N型半导体中，自由电子为多数载流子，空穴为少数载流子;在P型半导体中，空穴为多数载流子，自由电子为少数载流子。
2020-05-05 08:15
、GTO；2、电子控制型，例如GTR、MOSFET、IGNT。四、按照电力电子器件内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况分类：1、双极型
2017-01-19 20:49
