功率MOSFET为多单元集成结构，如IR 的HEXFET采用六边形单元;西门子Siemens的SIPMOSFET采用正方形单元;摩托罗拉公司Motorola的TMOS采用矩形单元按品字形排列
2022-10-07 10:39
SiC功率MOSFET内部晶胞单元的结构，主要有二种：平面结构和沟槽结构。平面SiC MOSFET的
2023-02-16 09:40
功率MOSFET为多单元集成结构，如IR的HEXFET采用六边形单元;西门子Siemens的SIPMOSFET采用正方形单元;摩托罗拉公司Motorola的TMOS采用矩形单元按品字形排列。
2022-08-04 15:35
（Drain）和源极（Source）。功率MOSFET为电压型控制器件，驱动电路简单，驱动的功率小，而且开关速度快，具有高的工作频率。常用的MOSFET的结构有：横向导电双扩散型场效应晶体管LDMOS
2023-06-05 15:12
集成电路、功率电子、模拟电路等领域扮演着至关重要的角色。本文将详细阐述MOSFET的结构和工作特性，并通过数字和信息进行具体说明。
2024-05-28 14:35
极（ Drain ）和源极（ Source ）。功率 MOSFET 为电压型控制器件，驱动电路简单，驱动的功率小，而且开关速度快，具有高的工作频率。常用的 MOSFET 的结构有：横向导电双扩散型
2023-06-28 08:39
MOSFET结构、特性参数及设计详解
2023-01-26 16:47
SiC MOSFET的桥式结构
2023-12-07 16:00
MOSFET和IGBT内部结构不同，决定了其应用领域的不同。
2023-11-03 14:53
功率电路中常用垂直导电结构的MOSFET(还有横向导电结构的MOSFET，但很少用于耐高压的功率电路中)，如下图是这种MOS
2023-02-16 11:25
