MOS栅结构是MOSFET的重要组成部分，一个典型的N沟道增强型结构示意图如图1所示。其中栅极、源极和漏极位于同一个平面内，半导体的另一个平面可以称为体端，所以在一些书籍和资料中，也将
2024-06-13 10:07
图1：开关损耗让我们先来看看在集成高侧MOSFET中的开关损耗。在每个开关周期开始时，驱动器开始向集成MOSFET的栅极供应电流。从第1部分，您了解到
2022-11-16 08:00
本章将介绍最新的第三代SiC-MOSFET，以及可供应的SiC-MOSFET的相关信息。独有的双沟槽结构SiC-MOSFET在SiC-
2018-12-05 10:04
1 横向双扩散型场效应晶体管的结构功率MOSFET即金属氧化物半导体场效应晶体管（Metal Oxide Semiconductor FieldEffect Transistor）有三个管脚，分别为
2016-10-10 10:58
为标准化模块，并封装为一体，构成集成电力电子模块。集成电力电子模块既不是某种特殊的半导体器件，也不是一种无源元件。它是按照最优化电路拓扑和系统
2018-08-28 11:58
` 本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:08 编辑 MOSFET结构及工作原理`
2012-08-20 23:25
版）实用电力电子技术丛书《MOSFET、IGBT驱动集成电路及应用》MOS管驱动电路总结电源中的MOSFET性能的四项关键测试PFC中开关
2019-04-19 17:45
说明一下，DMOS是平面型的MOSFET，是常见的结构。Si的功率MOSFET，因其高耐压且可降低导通电阻，近年来超级结（Super Junction）结构的
2018-11-30 11:35
` 本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:54 编辑 MOSFET结构及其工作原理详解`
2012-08-20 17:27
1. 器件结构和特征 Si材料中越是高耐压器件，单位面积的导通电阻也越大（以耐压值的约2~2.5次方的比例增加），因此600V以上的电压中主要采用IGBT（绝缘栅极双极型晶体管）。 IGBT
2023-02-07 16:40
