晶体管），MOSFET（电力场效 应晶体管）、IGBT（绝缘栅双极晶体管）；3、不可控器件，例如电力二极管。二、按照驱动电路加在
2017-01-19 20:49
` 谁来阐述一下mosfet是什么型器件？`
2019-10-25 16:06
谁来阐述一下mosfet是电压型器件吗
2019-10-25 15:58
了漂移区的掺杂浓度从而降低耐压吗？2、为什么电场由三角形变为梯形可以只需较薄的漂移区就可以提升耐压？3、为什么单极型的MOSFET没有FS层，而双极型的FRD和IGBT都有用到场截止层？为什么
2020-02-20 14:26
电力电子器件1.1 电力电子器件概述1.2 不可控器件——电力二极管1.
2009-09-16 12:09
，简称场效晶体管。内部结构（以N-MOSFET为例）如下图所示。在P型半导体衬底上制作两个N+区，一个称为源区，一个称为漏区。漏、源之间是横向距离沟道区。在沟道区的表面上，有一层由热氧化生成的氧化层作为
2023-02-10 15:33
采用IGBT这种双极型器件结构（导通电阻变低，则开关速度变慢），就可以实现低导通电阻、高耐压、快速开关等各优点兼备的器件。3. VD - ID特性SiC-MOSFET与
2019-05-07 06:21
一样，商用SiC功率器件的发展走过了一条喧嚣的道路。本文旨在将SiC MOSFET的发展置于背景中，并且 - 以及器件技术进步的简要历史 - 展示其技术优势及其未来的商业前景。 碳化硅或碳化硅的历史
2023-02-27 13:48
1. 器件结构和特征 Si材料中越是高耐压器件，单位面积的导通电阻也越大（以耐压值的约2~2.5次方的比例增加），因此600V以上的电压中主要采用IGBT（绝缘栅极双极型晶体管）。 IGBT
2023-02-07 16:40
与数字电路的场效晶体管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”（工作载流子）的极性不同，可分为“N型”与“P型” 的两种类型，通常
2018-12-28 15:44
