： 栅极电压U GS <UT时，MOS栅结构中没有导电沟道的形成，MOSFET的反向通态特性与一般的PN结二极管一样。 栅极电压U GS >UT时，MOS栅
2024-06-13 10:07
，合适于功率MOSFET的应用。这种结构称为垂直导电双扩散MOS结构VDMOSFET（Vertical Double Diffused
2016-10-10 10:58
本章将介绍最新的第三代SiC-MOSFET，以及可供应的SiC-MOSFET的相关信息。独有的双沟槽结构SiC-MOSFET在SiC-
2018-12-05 10:04
的MOSFET设计了一种商标CoolMOS，这种结构从学术上来说，通常称为超结型功率MOSFET。图3：内建横向电场的SuperJunction结构垂直
2018-10-17 16:43
`功率场效应管(MOSFET)的结构,工作原理及应用 功率场效应管(MOSFET)的结构 图1是典型平面N沟道增强型场效应管(
2011-12-19 16:52
` 本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:08 编辑 MOSFET结构及工作原理`
2012-08-20 23:25
、GTO；2、电子控制型，例如GTR、MOSFET、IGNT。四、按照电力电子器件内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况分类：1、双极型器件，例如电力二极管、晶闸管、G
2017-01-19 20:49
栅极电压来控制漏极电流，驱动电路简单，需要的驱动功率小，开关速度快，工作频率高，热稳定性优于GTR，但其电流容量小，耐压低，一般只适用于功率不超过10kW的电力电子装置。 2.功率MOSFET的结构
2019-06-14 00:37
极电流，驱动电路简单，需要的驱动功率小，开关速度快，工作频率高，热稳定性优于GTR， 但其电流容量小，耐压低，一般只适用于功率不超过10kW的电力电子装置。 功率MOSFET的结构和工作原理 功率
2023-02-27 11:52
随之增加。如果类似于IGBT引入少数载流子导电，可以降低导通压降，但是少数载流子的引入会降低工作的开关频率，并产生关断的电流拖尾，从而增加开关损耗。超级结MOSFET的结构高压的功率
2017-08-09 17:45
