： 栅极电压U GS <UT时，MOS栅结构中没有导电沟道的形成，MOSFET的反向通态特性与一般的PN结二极管一样。 栅极电压U GS >UT时，MOS栅
2024-06-13 10:07
功率电路中常用垂直导电结构的MOSFET(还有横向导电结构的MOSFET
2023-02-16 11:25
，合适于功率MOSFET的应用。这种结构称为垂直导电双扩散MOS结构VDMOSFET（Vertical Double Diffused
2016-10-10 10:58
（Drain）和源极（Source）。功率MOSFET为电压型控制器件，驱动电路简单，驱动的功率小，而且开关速度快，具有高的工作频率。常用的MOSFET的结构有：横向导电
2023-06-05 15:12
本文主要阐述了导电滑环工作原理及结构。
2020-02-24 10:15
极（ Drain ）和源极（ Source ）。功率 MOSFET 为电压型控制器件，驱动电路简单，驱动的功率小，而且开关速度快，具有高的工作频率。常用的 MOSFET 的结构有：横向
2023-06-28 08:39
功率MOSFET的结构和工作原理功率MOSFET的种类：按导电沟道可分为P沟道和N沟道。按栅极电压幅值可分为；耗尽型；当栅极电压为零时漏源极之间就存在
2008-08-12 08:43
垂直导电平面结构功率MOSFET管水平沟道直接形成JFET效应，如果把水平的沟道变为垂直沟道，从侧面控制沟道，就可以消除JFET效应。
2023-08-28 10:10
功率MOSFET是一种广泛应用于电力电子转换器的高性能开关器件。它具有高输入阻抗、低导通电阻、快速开关速度和良好的热稳定性等特点，因此在各种高压、高频、高效率的电源系统中发挥着重要作用。 结构
2024-01-17 17:24
BOSHIDA电源模块 电源基础知识 MOSFET结构 制造MOSFET器件的挑战在于，需要通过施加在绝缘栅极上电压的影响，将半导体材料的极性反转，从而在源极和漏极之间形成一个
2023-05-09 09:13
