半导体场效应晶体管（MOSFET） 绝缘栅双极晶体管（IGBT） 门极可关断晶闸管（GTO） 静电感应晶体管（SITH） 静电感应晶闸管（SITHT） MOS控制晶闸管（MCT） 集成门极换向晶闸管（IGCT） 碳化硅MOSFET（SiC
2024-08-14 16:00
。 电压驱动型电力电子器件的工作原理 电压驱动型电力电子器件的工作原理是
2024-07-17 15:23
科锐公司(Nasdaq: CREE)将继续引领高效率电子电力模组变革，宣布推出业界首款符合全面认证的可应用于电力电子模组的裸芯片型及芯片型碳化硅
2011-12-19 09:03
状态的转换和电流的转移都不可能是瞬时实现的，因此产生了换流前后两个电路稳态间的暂态过程。这一过程称为换流过程。 利用全控型器件的自关断能力进行换流。在采用IGBT 、电力MOS
2025-03-12 09:58
2023年8月1日，九峰山实验室6寸碳化硅（SiC）中试线全面通线，首批沟槽型MOSFET器件晶圆下线。实验室已具备碳化硅外延、工艺流程、测试等全流程技术服务能力。
2023-08-11 17:00
MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种单极型半导体器件。 MOSFET的基本概念 MOSFET是一种利用电场
2024-07-14 11:37
电力MOSFET的反向电阻工作区 电力MOSFET在很多电子设备中都有广泛的应用，例如电源、驱动电路、LED控制等。MOSFET
2023-10-26 11:38
（VLSI）设备采用的设计方式有极大的不同，它仍然采用了与VLSI电路类似的半导体加工工艺。金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)从70年代的初级场效应晶体管发展而来。图1描述了MOSFET的器件原理图，传输特
2023-06-17 14:24
MOSFET及其应用优势，以帮助设计人员在许多工业应用中选择这些器件。 图1 N沟道耗尽型功率MOSFET N沟道耗尽型
2021-05-27 12:18
电力电子器件的分类 按照器件的控制能力分为以下三类：半控型器件：晶闸管（Thyristor or SCR）及其大部分派
2009-04-14 21:10
