怎样解决MOSFET并联工作时出现的问题？ 来纠正传统认识的局限性和片面性。
2021-04-07 07:05
逆变的时候直流输入是25V，工作电流是250A.现在用的器件是IPM，以后可能还要增大工作电流，我害怕IPM不够使，所以想请大家推荐一个电力开关。听说MOSFET比较适
2014-03-13 08:29
什么是MOSFET驱动器？MOSFET驱动器功耗包括哪些部分？如何计算MOSFET的功耗？
2021-04-12 06:53
是幻想。而今天，它们变得越来越真实，屋主对能源使用的控制达到了前所未有的水平。电力的每一阶段都变得更加智能，从集中式或分布式发电到智能住宅和建筑中电气设备的使用，包括在家、工作中和路上使用的各种设备
2018-08-29 15:36
，电子干扰(EMI) 会在汽车立体音响中发出挠人的噪音。 图1显示了同步降压转换器的原理图以及其开关节点波形。高侧MOSFET的开关速度和高侧/低侧MOSFET与印刷电路板(PCB)杂散电感和电容都具有在
2018-08-31 19:55
可能有一种偏置MOSFET栅极的方法，使100mV正好落在过渡区域，并触发正反馈环路将其投入完全有源区域，但我无法弄清楚如何做到这一点。
2018-08-17 12:45
通过对同步交流对交流(DC-DC)转换器的功耗机制进行详细分析，可以界定必须要改进的关键金属氧化物半导体场效晶体管(MOSFET)参数，进而确保持续提升系统效率和功率密度。分析显示，在研发功率
2019-07-04 06:22
电压等于0的时候，漏极电流是等于0.其中JFET中栅级与衬底之间的PN结工作在反偏，当所有的讨论都是基于源级接地的电路时，当耗尽型MOSFET、JFET的栅源电压大于0时，电流怎么变化，两种管子工作在
2019-04-08 03:57
在启动期间，由于反向恢复dv/dt，零电压开关运行可能会丢失并且MOSFET可能发生故障。 在启动之前谐振电容和输出电容完全放电。这些空电容导致Q2体二极管进一步导通并且在Q1导通前不会完全恢复
2019-01-15 17:31
进一步利用。 （A） 图片由Bodo的电力系统公司提供 （B） 图片由Bodo的电力系统提供 图5.最大dv/dt限制为5V/ns的导通损耗比较（A：IGBT，B：SiC-MOSFET
2023-02-21 16:36
