如何避免功率MOSFET发生寄生导通?
2023-09-18 16:54
利用仿真技术验证了由于源极LSource生成反电动势VLS，通过MOSFET的电压并不等于全部的驱动电压VDRV。MOSFET导通时3引脚封装的反电动势VLS、栅极-源极VGS波形如下图所示。图中用圆圈突出显示的部分
2018-03-30 16:21
靠在G极上加一个触发电压，使N极与D极导通。对N沟道G极电压为+极性。对P沟道的G极电压为-极性。场效应管的导通与截止由栅源电压来控制，对于增强型场效应管来说，N沟道的管子加正向电压即导通，P沟道的管子则加反向电压。
2019-06-26 16:04
场效应管导通与截止由栅源电压来操控，关于增强场效应管方面来说，N沟道的管子加正向电压即导通，P沟道的管子则加反向电压。一般2V～4V就OK了。
2019-06-26 16:13
LLC的优势之一就是能够在比较宽的负载范围内实现原边MOSFET的零电压开通（ZVS），MOSFET的开通损耗理论上就降为零了。要保证LLC原边MOSFET的ZVS，需要满足以下三个基本
2018-06-11 07:51
电力变压器并列运行必须满足三个条件：变压比相等、联结组别相同、短路电压相同。
2019-06-19 15:47
用于高功率和高频应用的最有前途的器件之一是 SiC MOSFET。2,3 它支持更高的结温，其特点包括低导通电阻和更高的开关。SiC MOSFET 允许构建具有更高功率密度和更高效率的转换器。然而
2022-08-03 09:40
对于MOSFET，欧姆电阻不仅仅只考虑沟道电阻，对于阻断电压在50V以上的器件中低掺杂中间区域的电阻起到决定作用。
2021-05-01 17:26
MOSFET因导通内阻低、开关速度快等优点被广泛应用于开关电源中。MOSFET的驱动常根据电源IC和MOSFET的参数选择合适的电路。本文探讨
2016-12-15 16:00
IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种电力电子器件，广泛应用于变频器、电动汽车、太阳能逆变器等领域。IGBT的导通压降（Vce(sat)）是指在IGBT导通状态下，集电极（C）和发射极（E）之间的电压
2024-09-19 14:51
