MOSFET漏源极之间有寄生二极管,漏源极间加反向电压时器件导通。电力 MOSFET的通态电阻具有正温度系数,对器件并联时的均流有利。 2、动态特性;其测试电路和开关
2023-02-27 11:52
方向N沟道,由S极指向D极。P沟道,由D极指向S极。如果觉得上面两条不是很好记,教大家一个识别方法:不论N沟道还是P沟道MOS管,中间衬底箭头方向和寄生二极管的箭头方向总是一致的,上面图片已经标出来了可以看一下。MOS管导通条件N沟道:Ug>Us时
2023-02-10 16:27
中有直线性,因此可除以系数,根据VGS(th)的变化量计算温度上升。关键要点:・使MOSFET导通的电压称为“栅极阈值”。・VGS恒定的话,ID会随温度上升而増加,因此有些条件需要注意。・可根据VGS(th)的变化,
2018-11-28 14:28
由运放构成的恒流源电路,利于NI模拟工具模拟在没有输入的条件下,MOSFET一直处于微导通状态下,这个是什么问题,有没有大神帮忙解答一下,谢谢。
2019-02-13 16:34
和 管子 导通的关系 理解如下,不知 是否正确,还请前辈、大侠 指点(轻拍):1. 当VGS(th)≥4.1V时,所有的此规格的MOSFET均导通 ;2. 当2.9V≤VGS(th)
2017-08-10 00:15
。另外,这里提供的数据是在ROHM试验环境下的结果。驱动电路等条件不同,结果也可能不同。关键要点:・SiC-MOSFET在Vd-Id特性方面,导通电阻特性的变化呈直线型,因此在低电流范围优于IGBT。・SiC-
2018-12-03 14:29
从小电流到大电流的宽电流范围内都能够实现低导通损耗。而Si-MOSFET在150°C时导通电阻上升为室温条件下的2倍以上,与Si-
2019-04-09 04:58
人问,这种“MOSFET导通”的状态,到底是“电流ID是多少的状态呢?”。的确,ID随VGS而变化。从VGS(th)的规格值的角度看,只要条件没有确定,就无法保证VGS(th)的值,因此在
2019-05-02 09:41
什么是PMOS管?PMOS管有哪些特性?PMOS管有什么导通条件?
2021-06-16 08:07
从小电流到大电流的宽电流范围内都能够实现低导通损耗。而Si-MOSFET在150°C时导通电阻上升为室温条件下的2倍以上,与Si-
2019-05-07 06:21