MOSFET漏源极之间有寄生二极管，漏源极间加反向电压时器件导通。电力 MOSFET的通态电阻具有正温度系数，对器件并联时的均流有利。 2、动态特性；其测试电路和开关
2023-02-27 11:52
和计算开关损耗，并讨论功率MOSFET导通过程和自然零电压关断过程的实际过程，以便电子工程师了解哪个参数起主导作用并了解MOSFET. 更深入地
2021-10-29 08:43
时刻并不一样，因此开通时刻和关断时刻的米勒平台电压VGP也不一样，要分别根据各自的电流和跨导计算实际的米勒平台电压。（2）模式M2：t6-t7在t6时刻，功率MOSFET进入关
2017-03-06 15:19
的驱动电路时，不同的IGBT分立件和集成模块的开通关断时间建议一般是多少，从哪几个方面考虑其开通关断时间，是否从其电压等级和电流大小，还有什么其他考虑因素？
2024-02-25 11:06
本帖最后由 gk320830 于 2015-3-9 14:28 编辑 由于可控硅只有导通和关断两种工作状态，所以它具有开关特性，请问这种特性需要在什么条件才能转化?
2011-11-14 13:48
1. 开关速度在开关功率变换领域会因其使用场合不同而略有不同。整体电路时，它是指反复开关（导通关断导通关断1010）的频率，即为变换器的基本开关频率f，在讨论开关器件时
2021-10-29 06:24
使MOSFET正常开通关断的 但是带上27Ω负载，GS极两端电压为： 想问一下这是什么原因？ 或者说哪位大佬可以提供一下成熟的DG极驱动方案参考一下
2023-12-17 11:22
温度依赖性。下面是实测例。下一篇计划介绍ID-VGS特性。关键要点:・MOSFET的开关特性参数提供导通延迟时间、上升时间、关断延迟时间、下降时间。・开关特性受测量条件
2018-11-28 14:29
第四部第四讲讲解mosfet的开关过程，当Vgs大于开启电压时，Id与Vgs逐渐增大。当Id增大至所需最大电流时，平台电压形成，Vgs与Id成比例(未完全导通)。当mosfet完全
2018-10-24 14:55
【不懂就问】在单端反激电路中常见的一部分电路就是RCD组成的吸收电路，或者钳位电路，与变压器原边并联其目的是吸收MOSFET在关断时，引起的突波，尖峰电压电流到那时MOSFET是压控器件，为什么在
2018-07-10 10:03
