在带变压器的开关电源拓扑中，开关管关断时，电压和电流的重叠引起的损耗是开关电源损耗的主要部分，同时，由于电路中存在杂散电感和杂散电容，在功率开关管关断时，电路中也会出现过电压并且产生振荡。如果尖峰
2017-12-07 09:41
LLC的优势之一就是能够在比较宽的负载范围内实现原边MOSFET的零电压开通（ZVS），MOSFET的开通损耗理论上就降为零了。要保证LLC原边MOSFET的ZVS，需要满足以下三个基本
2018-06-11 07:51
电力变压器并列运行必须满足三个条件：变压比相等、联结组别相同、短路电压相同。
2019-06-19 15:47
具有驱动器源极引脚的TO-247-4L和TO-263-7L封装SiC MOSFET，与不具有驱动器源极引脚的TO-247N封装产品相比，SiC MOSFET的栅-源电压的行为不同。
2022-07-06 12:30
门极可关断晶闸管（Gate-Turn-Off Thyristor，简称GTO）是一种特殊的电力半导体器件，属于晶闸管的一种派生器件。它具备普通晶闸管的耐高压、电流容量大以及承受浪涌能力强等优点，同时
2024-05-27 15:14
BJT 是一种电流控制型器件, 发射极e和集电极c传导的工作电流受基极b引入的较小电流的控制, 如等效电路所示, BJT受MOSFET漏极电流控制. 在IGBT关断td(off)和Δt 程中
2018-12-22 12:41
当我们使用MOS管进行一些PWM输出控制时，由于此时开关频率比较高，此时就要求我们能更快速的开关MOS管，从理论上说，MOSFET 的关断速度只取决于栅极驱动电路。当然电流更高的关断电路可以更快
2022-04-11 08:03
普通单向晶闸管靠控制极信号触发之后，撤掉信号也能维持导通。欲使其关断，必须切断电源或施以反向电压强行关断。这就需要增加换向电路，不仅使设备的体积、质量增大，而且会降低效率，产生波形失真和噪声，可关断晶闸管克服了上述缺
2021-01-07 14:31
双极功率晶体管的电流放大倍数和通态特性会随着电压级别的增加而迅速降低，因此抑制了其在电压高于2kV 牵引设备（如电力机车） 应用中的发展。在直流电路中，将晶闸管结构设计成利用栅极信号就可以控制开启
2024-01-17 09:42
晶闸管，作为电力电子领域的关键元件，其导通与关断的特性对于电路的稳定运行至关重要。在实际应用中，理解晶闸管如何从导通状态转变为关断状态，不仅有助于优化电路设计，还能有效防止因误操作导致的设备损坏。本文将从晶闸管的基本
2024-05-27 15:11
