【不懂就问】在单端反激电路中常见的一部分电路就是RCD组成的吸收电路，或者钳位电路，与变压器原边并联其目的是吸收MOSFET在关断时，引起的突波，尖峰电压电流到那时MOSFET是压控器件，为什么在
2018-07-10 10:03
功率MOSFET的感性负载关断过程和开通过程一样，有4个阶段，但是时间常数不一样。驱动回路的等效电路图如图1所示，RG1为功率MOSFET外部串联的栅极电阻，RG2为功率MOS
2017-03-06 15:19
功率MOSFET怎样关断？能否用PWM实现？怎样实现？
2023-05-08 16:16
温度依赖性。下面是实测例。下一篇计划介绍ID-VGS特性。关键要点:・MOSFET的开关特性参数提供导通延迟时间、上升时间、关断延迟时间、下降时间。・开关特性受测量条件和测量电路的影响较大，因此一般确认提供
2018-11-28 14:29
电力电子器件的分类共有四大类 其中每类又能分出多种不同类型：一、按照电力电子器件能够被控制电路信号所控制的程度分类：1、半控型器件，例如晶闸管；2、全控型器件，例如（门极可关断晶闸管）、GTR（
2017-01-19 20:49
尖峰；三是降低dV／dt或dI／dt。由于MOSFET管的电流下降速度很快，所以它的关断损耗很小。虽然MOSFET管依然使用关断缓冲电路，但它的作用不是减少
2018-11-21 16:22
，ID随VGS而变化。从VGS(th)的规格值的角度看，只要条件没有确定，就无法保证VGS(th)的值，因此在MOSFET的技术规格中规定了条件。这个表是从N-ch 600V 4A的功率
2018-11-28 14:28
第四部第四讲讲解mosfet的开关过程，当Vgs大于开启电压时，Id与Vgs逐渐增大。当Id增大至所需最大电流时，平台电压形成，Vgs与Id成比例(未完全导通)。当mosfet完全导通时，Vgs
2018-10-24 14:55
引脚封装提供了更加可靠的开关控制。 图4. TO247封装MOSFET（上）和TO247 4引脚封装MOSFET（下）的MOSFET关断瞬态波形。试验
2018-10-08 15:19
栅极电压来控制漏极电流，驱动电路简单，需要的驱动功率小，开关速度快，工作频率高，热稳定性优于GTR，但其电流容量小，耐压低，一般只适用于功率不超过10kW的电力电子装置。 2.功率MOSFET的结构
2019-06-14 00:37
