本帖最后由 小小的大太阳 于 2017-5-31 10:06 编辑 MOS管的导通损耗影响最大的就是Rds，而开关损耗好像不仅仅和开关的频率有关，与MOS管的结电
2017-05-31 10:04
如何更加深入理解MOSFET开关损耗？Coss产生开关损耗与对开关过程有什么影响？
2021-04-07 06:01
如图片所示，为什么MOS管的开关损耗（开通和关断过程中）的损耗是这样算的，那个72pF应该是MOS的输入电容，2.5A是开关电源限制的平均电流
2018-10-11 10:21
算法，可根据负载功率因子在不同扇区内灵活放置零电压矢量，与传统的连续调制SVPWM相比，在增加开关频率的同时减小了开关电流。仿真结果也表明这种方法有着最小的开关损耗。
2019-10-12 07:36
导通（为寄生电容充电）时出现一次，而当它关闭（为寄生电容放电）时出现一次。因此，在这两种情况下估算时间t3作为MOSFET的上升和下降时间，您可使用等式4估算开关损耗：开关损耗取决于频率和输入电压
2018-08-30 15:47
今天开始看电源界神作《开关电源设计》（第3版），发现第9页有个名词，叫“交流开关损耗”，不明白是什么意思，有没有哪位大虾知道它的意思啊？谢谢了！！
2013-05-28 16:29
功率器件损耗主要分为哪几类？什么叫栅极电荷？开关损耗和栅极电荷有什么关系？
2021-06-18 08:54
要提高开关电源的效率，就必须分辨和粗略估算各种损耗。开关电源内部的损耗大致可分为四个方面：开关损耗、导通
2021-03-11 06:04
算法，可根据负载功率因子在不同扇区内灵活放置零电压矢量，与传统的连续调制SVPWM相比，在增加开关频率的同时减小了开关电流。仿真结果也表明这种方法有着最小的开关损耗。
2019-10-18 08:34
我用IGBT设计了D类功放，用的管子是FGH60N60SFD，开关频率为300kHz，上网查资料发现IGBT的开关损耗为图中公式，查找FGH60N60SFD文档后计算开关损耗
2019-07-25 10:16
