一个高质量的开关电源效率高达95%,而开关电源的损耗大部分来自开关器件(MOSFET和二极管),所以正确的测量
2019-06-27 10:22
一、开关损耗包括开通损耗和关断损耗两种。开通损耗是指功率管从截止到导通时所产生的功率损耗;关断
2021-10-22 10:51
坏该开关器件。 由于硬开关存在以上缺点,限制了开关器件工作频率的提高,
2019-08-27 07:00
1、CCM 模式开关损耗 CCM 模式与 DCM 模式的开关损耗有所不同。先讲解复杂 CCM 模式,DCM 模式很简单了。
2018-01-13 09:28
的IGBT模块相比,具有1)可大大降低开关损耗、2)开关频率越高总体损耗降低程度越显著 这两大优势。下图是1200V/300A的全SiC功率模块BSM300D12P2E
2018-11-27 16:37
电源开关损耗是电子电路中一个重要的性能指标,它反映了开关器件在开关过程中产生的能量损失。准确测量电源开关损耗对于优化电路
2024-05-27 16:03
一个高质量的开关电源效率高达95%,而开关电源的损耗大部分来自开关器件(MOSFET和二极管),所以正确的测量
2019-06-26 15:49
为了有效解决金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)在通信设备直流-48 V缓启动应用电路中出现的开关损耗失效问题,通过对MOSFET 栅极电荷、极间电容的阐述和导通过程的解剖,定位了MOSFET 开关损耗的来源,进而为缓启动电路设计优化,减少MOSFET的
2016-01-04 14:59
同步整流降压转换器的同步开关(高边+低边)是对VIN和GND电压进行切换(ON/OFF),该过渡时间的功率乘以开关频率后的值即开关损耗。
2020-04-06 10:51
全SiC功率模块与现有的IGBT模块相比,具有1)可大大降低开关损耗、2)开关频率越高总体损耗降低程度越显著 这两大优势。
2023-02-08 13:43