### 4435GJ-VB TO251 MOSFET 产品简介4435GJ-VB 是一款单通道 P 沟道场效应管,采用 TO251 封装,适用于各种电子应用中的高效能管理。具有高可靠性和优异的热性
2024-11-08 16:11 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、4435GH-VB TO252 产品简介4435GH-VB 是一款单 P 沟道 MOSFET,采用 TO252 封装。具有 -30V 的漏极-源极电压(VDS),并具有 ±20V 的栅极
2024-11-08 16:10 微碧半导体VBsemi 企业号
**AP4435GJ-VB 详细参数说明和应用简介:****参数说明:**- 封装:TO251- 沟道类型:P-Channel- 额定电压(VDS):-30V- 额定电流(ID):-35A- RDS
2024-02-19 14:36 微碧半导体VBsemi 企业号
型号 CEM4435丝印 VBA2317品牌 VBsemi参数 频道类型 P沟道 额定电压 30V 额定电流 7A RDS(ON) 23mΩ @ 10V,29mΩ @ 4.5V,66m
2023-10-30 15:33 微碧半导体VBsemi 企业号
AO4435 (VBA2317)参数说明:P沟道,-30V,-7A,导通电阻23mΩ@10V,29mΩ@4.5V,66mΩ@2.5V,20Vgs(±V),阈值电压-1.37V,封装:SOP8
2023-12-06 11:57 微碧半导体VBsemi 企业号
型号:IRF4435TRPBF-VB丝印:VBA2317品牌:VBsemi参数:- P沟道- 额定电压:-30V- 最大漏电流:-7A- 静态漏极-源极电阻(RDS(ON)):23mΩ @ 10V
2023-12-20 10:30 微碧半导体VBsemi 企业号