氮化镓 （GaN） 晶体管的开关速度比硅MOSFET快很多，从而有可能实现更低的开关损耗。然而，当压摆率很高时，特定的封装类型会限制GaN FET的开关性能。将GaN FET与驱动器
2016-06-06 16:14
氮化镓 （GaN） 晶体管的开关速度比硅MOSFET快很多，从而有可能实现更低的开关损耗。然而，当压摆率很高时，特定的封装类型会限制GaN FET的开关性能。将GaN FET与驱动器
2016-05-09 17:06
用EVE-NG平台做的思科传统防火墙的基本实验
2023-09-01 14:28
氮化镓凭借高频高效特性，具备了体积小、功率高、发热低等优势，但小型化虽好，散热才是硬道理，选氮化镓电源ic得看准散热设计。今天就给小伙伴们推荐一款散热性能优越、耐压700V的氮
2025-04-29 18:12
在本文中，我们将仔细研究氮化镓 (GaN)晶体管，以及这种新的半导体技术如何有望彻底改变 D 类放大器的性能。 凭借其非常低的导通电阻、非常高且干净的开关能力，GaN 器件的性
2022-08-08 10:03
氮化镓芯片热稳定性好、电子迁移速度更快、热导率更高，同时，氮化镓芯片还具有更低的导通和开关损耗，整体的功耗更低。在一些对功耗要求严格的应用场景中，进一步彰显了它在性能方面的优越性。深圳银联宝科技自
2025-01-02 09:27
下面我们仅就常用的NPO、X7R、Z5U和Y5V来介绍一下它们的性能和应用 以及采购中应注意的订货事项以引起大家的注意。不同的公司对于上述不同性能的电容器可能有不同的命
2018-01-24 10:42
带恒功率、底部无PAD的氮化镓芯片U872XAHS系列型号分别为U8722AHS、U8723AHS、U8724AHS。耐
2025-01-06 15:52
U8765是一款集成E-GaN的高频高性能准谐振模式交直流转换功率开关。芯片集成高压启动电路，可获得快速启动功能和超低的工作电流，实现小于30mW的超低待机功耗。
2024-10-30 15:06
深圳银联宝科技推出的氮化镓快充芯片集成高频高性能准谐振模式，显著降低磁性元件体积，同时通过同步整流技术将效率翻番。比如今天介绍的65W全压700V底部无PAD氮化镓快
2025-03-20 17:41
