即为其正向电压降Uf。动态特性因为结电容的存在，电压—电流特性是随时间变化的，这就是电力二极管的动态特性，并且往往专指反
2018-01-16 10:03
Si-FRD从正向切换到反向的瞬间会产生极大的瞬态电流，在此期间转移为反向偏压状态，从而产生很大的损耗。这是因为正向通电时积聚在漂移层内的少数载流子不断地进行电传导直到消亡（该时间也称为积聚时间）。
2018-04-10 11:02
MOSFET的非理想特性对模拟集成电路设计具有重要影响。文章介绍了非理想特性的多个方面，包括电容、体效应、沟道长度调制、亚阈值导通、迁移率下降以及饱和速度和压敏降阈。同
2023-11-16 16:15
由于采用电力电子器件作为开关器件，各支路间电流的转移必然包含着电力电子器件
2019-10-01 17:05
谈到功率半导体器件，出来不可控的，其他的应该都涉及到主动开关吧，那怎么开怎么关呢？这就是驱动，电力电子主电路与控制电路之间的接口。良好的驱动电路使电力电子
2019-07-26 09:51
本文首先介绍了电力熔断器的原理，其次介绍了电力熔断器的分类，最后介绍了电力熔断器结构特性。
2019-11-18 10:42
大家好，这期我们再聊一下IGBT的开关损耗，我们都知道IGBT开关损耗产生的原因是开关暂态过程中的电压、电流存在交叠部分，由于两者都为正，这样就会释放功率，对外做功产生热量。那为什么IGBT
2022-04-19 16:00
DL-ISO 高压光隔离探头具有 1 GHz 带宽、2500 V 差分输入范围和 60 kV 共模电压范围，提供非常高的测量精度和丰富的连接方式，是GaN 和 SiC 器件测试的理想探头。
2022-11-03 17:47
