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  • 什么是“死区时间”?如何减小IGBT的死区时间

    这个设定的原因是由于IGBT并不是理想开关器件,其开通时间和关断时间不是严格一致的,如果两端有电压,将导致直流电源短路,损坏桥臂功率器件,称之为“桥臂直通”。这种情况会导致器件

    2022-12-28 17:49

  • SimpleFOC之多路PWM驱动,相电流监测1

    开关元器件的和严格意义并不是相同的。IGBT,MOS并不是理想开关器件,其开通时间和关断时间不是严格一致的,如果两端有电压,将导致直流电源短路,损坏桥臂功率器件,称之为

    2023-04-24 11:29

  • SimpleFOC之多路PWM驱动,相电流监测2

    开关元器件的和严格意义并不是相同的。IGBT,MOS并不是理想开关器件,其开通时间和关断时间不是严格一致的,如果两端有电压,将导致直流电源短路,损坏桥臂功率器件,称之为

    2023-04-24 11:29

  • 如何使用StateAMS状态机对具有阈值和滞后的理想开关进行建模?

    理想开关的打开(关闭或停用)关闭(打开或激活)由施加在开关控制端子上的控制信号控制,用户可以根据阈值电平和滞后定义的操作区域进一步提高可控性。

    2023-12-05 14:13

  • 基于MEMS技术的理想开关即将开启

    二十年前,专门研究射频电路的工程师设想了一种“理想开关”。这种开关“打开”时,它将具有超低电阻,“关闭”时将具有超高电阻等等。

    2020-07-21 10:54

  • 理想开关自身会带来挑战

    随着我们的产品接近边沿速率超快的理想半导体开关,电压过冲和振铃开始成为问题。适用于SiC FET的简单RC缓冲电路可以解决这些问题,并带来更高的效率增益。

    2022-01-11 10:08

  • 理想半导体开关的挑战和简单的解决方法

    自从IBM于1958年设计了第一个管以“开关模式供电”后,功率转换器设计师们就一直梦想拥有没有导电损耗和开关损耗的理想开关

    2022-09-13 09:27

  • 理想半导体开关的挑战

    理想半导体开关的挑战

    2023-10-26 14:50

  • 打造理想半导体开关所面临的挑战

    电源”以来,打造无传导和开关损耗的理想开关一直是电源转换器设计者的梦想。如今,各项开关技术的通态损耗都有了明显降低;采用最新的宽带隙

    2023-01-31 18:10

  • 打造理想半导体开关所面临的挑战

    自 1958 年 IBM 设计出首个管状“开关模式电源”以来,打造无传导和开关损耗的理想开关一直是电源转换器设计者的梦想。如今,各项开关技术的通态损耗都有了明显降低;采

    2023-02-22 11:27