本文介绍了N型单晶硅制备过程中拉晶工艺对氧含量的影响。
2025-03-18 16:46
铜基复合材料的制备工艺与综合性能，重点讨论了各种制备工艺的特点、强化机制、构型设计，总结了针对复合界面结合弱与石墨烯分散困难这2类主要
2023-06-14 16:23
近期，加州大学圣巴巴拉分校的研发人员基于传统制备工艺，实现了多层可拉伸电路的制备，并成功制备了LED阵列的可拉伸化。这种工艺
2020-01-31 16:11
蒸镀工艺通过高温融化金属材料，蒸发到基膜上实现镀铜/铝，相比于磁控溅射速度更快，效率更高，但由于高温易使基膜变形，在镀铜过程中较少使用；铝的熔点远低于铜，因此蒸镀的温度可以控制在相对更低的水平，可减少高温使基膜变形等问题的发生，因此蒸镀更适合复合铝箔的制备。
2023-01-07 14:13
传统法是在磷酸盐燃料电池的基础上发展起来的。该方法具体制备工艺是：将Pt/C电催化剂与经稀释的PTFE溶液（或粉末）混合，制得分散均匀的催化剂浆料，采用喷涂的方法在扩散层的表面制备催化层，然后在80°C的真空烘箱中烘
2019-06-04 09:45
本文介绍了我们华林科纳采用氮化硅膜作为掩膜，采用湿蚀刻技术制备黑硅，样品在250~1000nm波长下的吸收率接近90%。实验结果表明，氮化硅膜作为掩模湿蚀刻技术
2022-03-29 16:02
通过湿法转移二维材料与半导体衬底形成异质结是一种常见的制备异质结光电探测器的方法。在湿法转移制备异质结的过程中，不同的制备工艺细节对二维材料与半导体形成的异质结的性能有
2023-05-26 10:57
氮化镓芯片是一种新型的半导体材料，由于其优良的电学性能，广泛应用于高频电子器件和光电器件中。在氮化镓芯片的生产工艺中，主要包括以下几个方面：材料准备、芯片
2024-01-10 10:09
本文从硅片制备流程为切入点，以方便了解和选择合适的硅晶圆，硅晶圆的制备工艺流程比较复杂，加工工序多而长，所以必须严格控制每道工序的加工质量，才能获得满足工艺技术要求、质
2024-10-21 15:22
改善之后的工艺与之前最大的区别在于使用光刻胶充当溅射的掩膜，在电镀之前将电路图形高精度的制备出来，不再进行湿法刻蚀，避免了侧腐蚀对线条精度和膜基结合力的影响，同时，基板只浸入丙酮中一次以去除光刻胶，避免了大量溶液的使用
2023-05-16 09:40
