，出于实际原因，保持区域大致相同至关重要。 如前所述，实现更多计算能力的一种方法是缩小晶体管的尺寸。但随着晶体管尺寸的减小，漏极和源极之间的距离降低了栅极控制沟道区域电流的能力。正因为如此，平面
2023-02-24 15:25
向下缩放时失去对漏电流的控制。 答案是利用第三个维度。 MOSFET晶体管从平面单栅极器件演变为多栅极3D单元，以增加电流驱动并减轻短通道效应。 使用3D还可以减少晶体管
2023-02-24 15:20
是Qgd，它描述了栅极漏极开关和开关关断时间关断所需的电荷。这两个参数指示关断能力和损耗，从而指示最大工作频率和效率。关断时间toff通常不显示在晶体管数据手册中，但可以根据参考书［1］在给定的开关电压
2023-02-27 09:37
晶体管开关对电子产品至关重要。了解晶体管开关，从其工作区域到更高级的特性和配置。 晶体管开关对于低直流开/关开关的电子设备至关重要，其中晶体管在其截止或饱和状态下
2023-02-20 16:35
来至网友的提问：如何选择分立晶体管？
2018-12-12 09:07
晶体管的主要参数有哪些？晶体管的开关电路是怎样的？
2021-06-07 06:25
晶体管测量模块的基本特性有哪些？晶体管测量模块的基本功能有哪些？
2021-09-24 07:37
个晶体管的偏置。我的问题是，我必须在两个晶体管的漏极处获得3V和60mA，在两个晶体管的栅极处获得一些毫伏电压，这就是我想要的。但我得到（如下图所示）红色环＃2处的＃1
2019-01-14 13:17
互补晶体管的匹配
2019-10-30 09:02
各位高手，小弟正在学习单结晶体管，按照网上的电路图做的关于单结晶体管的仿真，大多数都不成功，请问谁有成功的单结晶体管的仿真仿真啊，可以分享下吗。
2016-03-04 09:15
