电流时，即晶体管导通时的电压降，因此可通过该值求得导通时的电阻。MOSFET（图中以Nch为例）通过给栅极施加电压在源极与漏极间创建通道来导通。另外，栅极通过源极及漏极与氧化膜被绝缘，因此不会流过
2018-11-28 14:29
(sat)，这是集电极-发射极间的饱和电压。这是流过既定的集电极电流时，即晶体管导通时的电压降，因此可通过该值求得导通时的电阻。 MOSFET（图中以Nch为例）通过给栅极施加电压在源极与漏极间
2020-06-09 07:34
：发射极、基极和集电极;场效应晶体管的三极是：源极、栅极、漏极。由于晶体管的三极性，它们也有三种使用方式：接地发射极（也称为公共发射放大器/ CE配置），接地基极（也称为公共基极放大器/CB配置）和接地
2023-02-03 09:36
），它们被认为是当今finFET的前进之路。 三星押注的是GAA环绕栅极晶体管技术，台积电目前还没有公布其具体工艺细节。三星在2019年抢先公布了GAA环绕
2020-07-07 11:36
（RDS（on））。理想情况下，所选器件应均匀匹配，以确保静态电流在并联晶体管之间平均分配。其次，在动态开关过程中，如果晶体管栅极缺乏对称性，不仅会导致流经晶体管的电流
2021-01-19 16:48
，出于实际原因，保持区域大致相同至关重要。 如前所述，实现更多计算能力的一种方法是缩小晶体管的尺寸。但随着晶体管尺寸的减小，漏极和源极之间的距离降低了栅极控制沟道区域电流的能力。正因为如此，平面
2023-02-24 15:25
什么是IGBT(绝缘栅双极晶体管)？IGBT是 "Insulated Gate Bipolar Transistor"的首字母缩写，也被称作绝缘栅双极晶体管。IGBT被归类为功率
2019-05-06 05:00
晶体管，FET和IC，FET放大电路的工作原理，源极接地放大电路的设计，源极跟随器电路设计，FET低频功率放大器的设计与制作，栅极接地放大电路的设计，电流反馈型OP放大器的设计与制作，进晶体管
2025-04-14 17:24
IGBT 是一种功率开关晶体管，它结合了 mosfet 和 bjt 的优点，用于电源和电机控制电路绝缘栅极双极性晶体管也简称为 IGBT，是传统双极性晶体管
2022-04-29 10:55
和功率密度，这超出了硅MOSFET技术的能力。开发工程师需要能够满足这些要求的新型开关设备。因此，开始了氮化镓晶体管（GaN）的概念。 HD-GIT的概述和优势 松下混合漏极栅极注入晶体管（HD-GIT
2023-02-27 15:53
