全环绕栅极晶体管的出现满足了以上所有需求,从而允许摩尔定律在5纳米之后进一步前进。首先其生产工艺与鳍式晶体管相似,关键工艺步骤几乎一样(这点我们会在之后的文章中进一步讲
2020-09-29 13:54
针对微芯片行业速度最快、最精密且最具能效的集成电路的争夺战在全球各大制造巨头之间愈演愈烈,这正是芯片制造商为何要将全新的晶体管设计结构集成到其最先进的节点中的原因。台积电、三星和英特尔都已宣布将在未来几年采用目前最受关注的晶体管结构——全
2022-12-19 16:10
Ÿ 应用材料公司利用 Stensar™CVD取代旋涂镀膜以扩展二维极紫外光逻辑微缩 Ÿ 预览最广泛的三维环绕栅极晶体管技术产品组合,包括两种全新的IMS™系统 2022 年 4 月 21 日
2022-04-22 18:16
美国企业IBM正式推出2nm芯片,采用GAA环绕栅极晶体管技术,使芯片体积更小,速度更快,性能大大提升。IBM 2nm芯片首次使用底部电介质隔离技术和内层空间干燥处理技术。
2022-07-01 13:30
台积电正式公布2nm制造技术,该工艺广泛使用EUV光刻技术,首次采用GAAFET全环绕栅极晶体管技术和背面供电技术,计划于2025年实现量产。
2022-07-04 18:09
台积电在北美技术论坛上宣布推出了先进工艺制程2nm,采用GAAFET全环绕栅极晶体管技术,预计在2025年的时候实现量产计划。
2022-07-01 09:41
2nm制程全球争夺战升级!6月16日,台积电首度公布2nm先进制程,将采用GAAFET全环绕栅极晶体管技术,预计2025量产。
2022-07-01 16:17
上个月,台积电度在北美技术论坛上宣布即将推出2nm芯片,将采用GAAFET全环绕栅极晶体管技术,预计2025年实现量产。
2022-07-07 17:43
随着GAA FET(全环绕栅极晶体管)逐渐取代3nm及以下的finFET(鳍式场效应晶体管),芯片行业已经准备好迎接晶体管
2021-09-23 15:58
据相关消息报道,现阶段台积电正在研发更先进的2nm制程工艺,采用GAAFET全环绕栅极晶体管技术,计划将会在 2025年实现量产。
2022-06-23 09:15