DS1345 1024k非易失(NV) SRAM为1,048,576位、全静态非易失SRAM,按照8位、131,072字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路,控制电路连续监视VCC是否超出容差范围,一旦超出容差范围,锂电池便自动切换至供电状态、写保护将无条件使能、防止数据被破坏。此外,DS1345器件具有监视VCC状态和内部锂电池状态的专用电路。P
2023-07-21 15:23 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
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2024-10-17 10:49 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
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2024-10-16 20:45 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号