如需咨询请点击左侧关于页面，然后电联（ 切记不要留言 不要留言 留言 留言看不到无法沟通） AM000501XD-P3 双平衡无源混频器概述在现代无线通信系统中，混频器是信号处理链中不可或缺的组件
2024-10-19 20:10 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
应用。### 详细参数说明- **型号**: 3LN62K3-VB- **封装**: TO220F- **配置**: 单 N 型通道- **漏源电压 (VDS)**: 650V
2024-11-06 15:47 微碧半导体VBsemi 企业号
。### 详细的参数说明- **型号**：3N60ZG-TF3-T-VB- **封装**：TO220F- **配置**：单N沟道- **击穿电压 (VDS)**：65
2024-11-07 16:22 微碧半导体VBsemi 企业号
需要高效能和高功率密度的应用场合。### 8NH3L-VB 详细参数说明- **封装类型 (Package)**: DFN8(3X3)- **配置 (Config
2024-11-22 17:13 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介**型号**: BSZ076N06NS3 G-VB **封装**: DFN8 (3x3) **配置**: 单N沟道MOSFET **技术
2025-01-10 15:13 微碧半导体VBsemi 企业号
。### 二、详细的参数说明- **型号**：AP4527GN3-VB- **封装**：DFN8(3X3)-B- **配置**：双N+P沟道- **漏源电压 (VDS)
2024-12-19 16:47 微碧半导体VBsemi 企业号
PIC16F13115配备可配置逻辑块，用于基于硬件的多功能解决方案PIC16F13145微控制器系列凭借其集中的外设集，提供了实施基于硬件的解决方案的有效方法。该器件系列引入了可配置逻辑块
2024-02-29 16:05 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
### 产品简介**型号：4N62K3-VB****封装：TO220F****配置：单N沟道**4N62K3-VB是一款高压单N沟道MOSFET，采用平面技术制造，专为在高电压环境下提供稳定的电能
2024-11-13 15:09 微碧半导体VBsemi 企业号
应用。### 详细参数说明- **型号**: 2N7002E-T1-GE3-VB- **封装**: SOT23-3- **配置**: 单 N 沟道- **漏源电压 (V
2024-07-11 17:03 微碧半导体VBsemi 企业号
### 155N3H6-VB 产品简介**产品型号**: 155N3H6-VB**封装形式**: TO252**配置**: 单N沟道**主要参数**:- **漏源极电压
2024-07-06 16:03 微碧半导体VBsemi 企业号
