### 产品简介:2SK2318-VB2SK2318-VB是一款高性能单N沟道功率MOSFET,采用TO252封装,适用于高效电源转换和开关应用。该器件采用Trench技术,具有低导通电阻、高电流
2024-07-18 15:17 微碧半导体VBsemi 企业号
Qorvo 的 QPB2318 是一款 DOCSIS 3.1 反向放大器,工作频率范围为 5 至 210 MHz。它提供 15.5 dB 的增益和 3.8 dB 的噪声系数,并且需要 8 V 电源
2022-10-25 10:51 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
VBsemi AP2318AGEN-HF-VB- 封装:SOT23- 沟道类型:N—Channel- 额定电压:30V- 额定电流:6.5A- 导通电阻:RDS(ON) = 30mΩ @ VGS
2024-03-14 11:44 微碧半导体VBsemi 企业号
### 1. 产品简介AP2318AGEN-VB 是一款单 N-沟道功率场效应管(Power MOSFET),采用Trench工艺制造。该器件适用于低功率开关和电源管理应用,具有60V的漏极-源极
2024-12-17 11:41 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、产品简介**型号:2318AGEN-VB**VBsemi的2318AGEN-VB是一款低功率单N沟道MOSFET,采用了Trench技术。该器件适用于低功率电源电子应用场合。其
2024-07-10 14:36 微碧半导体VBsemi 企业号
ME2318S-VB是VBsemi品牌的N-Channel沟道场效应晶体管,具有以下参数:- 封装:SOT23- 额定电压:30V- 额定电流:6.5A- 开启电阻:30mΩ @ VGS=10V
2024-03-22 11:36 微碧半导体VBsemi 企业号
**VBsemi HM2318-VB 详细参数说明:**- **封装类型:** SOT23- **晶体管类型:** N—Channel- **沟道电压(VDS):** 30V- **沟道电流(ID
2024-03-20 15:32 微碧半导体VBsemi 企业号
**VBsemi ME2318-VB MOSFET**- **封装类型:** SOT23- **沟道类型:** N-Channel- **最大耐压:** 30V- **最大连续漏极电流
2024-03-22 11:38 微碧半导体VBsemi 企业号
型号:SPN2318S23RGB-VB丝印:VB1330品牌:VBsemi封装:SOT23参数:- N-Channel沟道- 额定电压(VDS):30V- 额定电流(ID):6.5A- 开启电阻
2024-04-08 11:06 微碧半导体VBsemi 企业号