描述TTP119-BB8N是一款使用電容式感應原理設計的觸摸IC,提供穩定的“觸摸按鍵”檢測效果可以廣泛的滿足不同的應用需求且可在有介質隔離保護的情況下實現觸摸功能,安全性高(如玻璃,壓克力等材質
2023-08-23 11:06 深圳市润泽芯电子有限公司 企业号
,适用于高功率电子设备和电源管理应用。### 4854NG-VB MOSFET详细参数说明- **封装形式**:TO252- **配置**:单N沟道- **漏源电压
2024-11-12 11:38 微碧半导体VBsemi 企业号
### 5802NG-VB 产品简介5802NG-VB 是一款单 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),采用 TO252 封装。它具有低漏极-源极电压(
2024-11-14 14:16 微碧半导体VBsemi 企业号
### 5407NG-VB 产品简介5407NG-VB 是一款单 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),采用 TO252 封装。它具有较低的漏极-源极电
2024-11-14 13:38 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、4905NG-VB 产品简介4905NG-VB是一款单N沟道MOSFET,采用TO252封装。它专为需要高功率处理和低导通电阻的应用而设计。通过沟槽(Trench)技术制造
2024-11-12 13:51 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介4910NG-VB 是一款单通道 N-Channel MOSFET,采用先进的 Trench 技术制造,设计用于高性能和高效能的电子应用。封装为 TO252,具备优异的导通特性和热管理
2024-11-12 13:55 微碧半导体VBsemi 企业号
需求,提供一系列 SiP 及工業標準模組,服務全世界地區。無論消費性顧客群或是工業應用顧客,期望應用其產品於智慧家居、安全、物聯網、遠距辦公或是工業自動化、智慧醫
2025-05-21 09:41 深圳市芯楠科技有限公司 企业号
### 一、4865NG-VB 产品简介4865NG-VB是一款单N沟道MOSFET,采用TO252封装。它设计用于高功率电子设备中,具有优异的功率开关特性和低导通电阻。采用先进的沟槽(Trench
2024-11-12 13:38 微碧半导体VBsemi 企业号
高功率和高效率的电源管理和功率转换应用。### 4913NG-VB MOSFET详细参数说明- **封装形式**:TO252- **配置**:单N沟道- **漏源
2024-11-12 13:57 微碧半导体VBsemi 企业号
高功率电子设备和电源管理应用。### 4809NG-VB MOSFET详细参数说明- **封装形式**:TO252- **配置**:单N沟道- **漏源电压 (V
2024-11-11 17:17 微碧半导体VBsemi 企业号