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  • MOS的中间那个加正电,上下就相当于导通的

    本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:03 编辑 普通三极管,是电流型放大元件,基极有电流,集电极就有放大HFE倍的电流,导通时,基极对发射极有0.7V压降,有NPN\PNP,锗和硅之分,导通饱和时,CE间也是导通压降,MOS管,是电压型放大元件,栅极一般在4V时导通,可有-20—+20V栅极电压,根据极性,有N沟道,P沟道,增强型,耗尽型,还有结型等之分,导通后,源极漏极之间呈电阻态,用最小导通电阻的参数。对于N沟道增强型,一般只要栅极加到4V(导通电压),就开始导通,随栅极电压的增高,导通电阻越小。一般最小可到几欧到0.0几欧转载自http://cxtke.com/

    2012-07-06 17:22

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    本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:06 编辑 普通三极管,是电流型放大元件,基极有电流,集电极就有放大HFE倍的电流,导通时,基极对发射极有0.7V压降,有NPN\PNP,锗和硅之分,导通饱和时,CE间也是导通压降,MOS管,是电压型放大元件,栅极一般在4V时导通,可有-20—+20V栅极电压,根据极性,有N沟道,P沟道,增强型,耗尽型,还有结型等之分,导通后,源极漏极之间呈电阻态,用最小导通电阻的参数。对于N沟道增强型,一般只要栅极加到4V(导通电压),就开始导通,随栅极电压的增高,导通电阻越小。一般最小可到几欧到0.0几欧转载自http://cxtke.com/

    2012-07-05 10:50

  • MOS的中间那个加正电,上下就相当于导通的

    本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:05 编辑 普通三极管,是电流型放大元件,基极有电流,集电极就有放大HFE倍的电流,导通时,基极对发射极有0.7V压降,有NPN\PNP,锗和硅之分,导通饱和时,CE间也是导通压降,MOS管,是电压型放大元件,栅极一般在4V时导通,可有-20—+20V栅极电压,根据极性,有N沟道,P沟道,增强型,耗尽型,还有结型等之分,导通后,源极漏极之间呈电阻态,用最小导通电阻的参数。对于N沟道增强型,一般只要栅极加到4V(导通电压),就开始导通,随栅极电压的增高,导通电阻越小。一般最小可到几欧到0.0几欧

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