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型号：6<b class='flag-s-7'>R380</b>E6-VB 品牌：微碧

### 6R380E6-VB MOSFET 产品简介6R380E6-VB是一款单N沟道功率MOSFET，采用TO220F封装。它具有650V的漏源电压和20A的漏电流能力，适合中等功率应用场合。采用

2024-11-19 10:08 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：IPD60<b class='flag-s-7'>R380</b>C6-VB 品牌：微碧

### 一、IPD60R380C6-VB 产品简介IPD60R380C6-VB 是一款高压 N 沟道功率 MOSFET，采用 TO252 封装。这款 MOSFET 设计用于处理高电压应用，具有

2025-08-27 11:08 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：IPD50<b class='flag-s-7'>R380</b>CE-VB 品牌：微碧

### 一、IPD50R380CE-VB 产品简介  IPD50R380CE-VB 是一款高压单N沟道MOSFET，采用TO252封装。该MOSFET专为高电压应用设计，具有650V的最大

2025-08-27 10:50 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：IPD60<b class='flag-s-7'>R380</b>P6-VB 品牌：微碧

### 产品简介 - IPD60R380P6-VBIPD60R380P6-VB 是一款高耐压、高效能的单N沟道功率MOSFET，采用TO252封装。该MOSFET具有650V的漏极-源极耐压能力

2025-08-27 11:13 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：5<b class='flag-s-7'>R380</b>CE-VB TO220F 品牌：微碧

### 一、产品简介**型号：5R380CE-VB**5R380CE-VB 是一款高压单N沟道MOSFET，采用TO220F封装，适用于中高功率开关和电源管理应用。具有550V的漏源电压和18A

2024-11-15 16:33 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：IPD65<b class='flag-s-7'>R380</b>C6-VB 品牌：微碧

### IPD65R380C6-VB MOSFET 产品简介IPD65R380C6-VB 是一款高电压 N 沟道 MOSFET，采用 TO252 封装。它能够承受高达 700V 的漏源电压（VDS

2025-08-27 13:41 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：IPP65<b class='flag-s-7'>R380</b>C6-VB 品牌：微碧

### 一、IPP65R380C6-VB 产品简介IPP65R380C6-VB 是一款高性能单N沟道功率MOSFET，封装为TO220，专为高压应用设计。它具有700V的漏源电压额定值，能够承受高

2025-09-01 14:37 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：IPD60<b class='flag-s-7'>R380</b>E6-VB 品牌：微碧

### 产品简介：IPD60R380E6-VB是一款高耐压的单N沟道MOSFET，采用TO252封装，专为高电压应用设计。该MOSFET的最大漏源电压（VDS）为650V，栅源电压范围为±30V

2025-08-27 11:11 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：IPP65<b class='flag-s-7'>R380</b>E6-VB 品牌：微碧

### 一、IPP65R380E6-VB 产品简介IPP65R380E6-VB 是一款高压单N沟道MOSFET，采用TO220封装。它具有700V的击穿电压，使其适用于高压电源和电气应用。其低导通电

2025-09-01 14:39 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：BMP<b class='flag-s-7'>380</b> 品牌：

BMP380型号简介       BMP380是博世（bosch-sensortec）的一款非常小巧、低功耗、低噪音的 24 位绝对气压传感器，专门设计用于

2024-07-02 11:08 立年电子科技 企业号