电子发烧友

型号：<b class='flag-s-7'>H-9-N</b> 品牌：

H-9-N （非 RoHS）混合结 特征0o - 180o 混合 10 倍频程带宽提供 MIL-STD_883 筛选输入功率：2-20 MHz：最大 5 W 20-2000

2023-02-03 12:52 深圳市鑫琅图科技有限公司 企业号

型号：4854<b class='flag-s-7'>NG</b>-VB 品牌：微碧

### 4854NG-VB MOSFET产品简介4854NG-VB是一款单N沟道MOSFET，由VBsemi公司生产，采用TO252封装。它具有极低的导通电阻、高漏极电

2024-11-12 11:38 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：5802<b class='flag-s-7'>NG</b>-VB 品牌：微碧

### 5802NG-VB 产品简介5802NG-VB 是一款单 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），采用 TO252 封装。它具有低漏极-源极电压（

2024-11-14 14:16 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：5407<b class='flag-s-7'>NG</b>-VB 品牌：微碧

### 5407NG-VB 产品简介5407NG-VB 是一款单 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），采用 TO252 封装。它具有较低的漏极-源极电

2024-11-14 13:38 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：4809<b class='flag-s-7'>NG</b>-VB 品牌：微碧

### 4809NG-VB MOSFET产品简介4809NG-VB是一款单N沟道MOSFET，由VBsemi公司生产，采用TO252封装。它具有低导通电阻、高漏极电流承

2024-11-11 17:17 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：SL10uf63v 4x7 品牌：

低漏電電解電容器SL2.2uf63v  4x7              

2022-04-26 09:42 华凯电容（深圳）有限公司 企业号

型号：5805<b class='flag-s-7'>NG</b>-VB 品牌：微碧

合。### 5805NG-VB 详细参数说明- **封装类型**：TO252- **器件配置**：单 N 沟道- **漏极-源极电压 (VDS)**：40V- **栅极-源极

2024-11-14 14:25 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：HMA81<b class='flag-s-7'>GU7DJR8N</b>-XNT0 品牌：

如需了解价格货期等具体信息，欢迎在首页找到联系方式链接我。不要留言，留言会被吞，收不到留言。 HMA81GU7DJR8N-XNT0 产品概述 HMA81GU7DJR8N

2025-02-10 20:14 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>H-183-4-N</b> 品牌：

H-183-4-N （非 RoHS）混合结  特征0o - 180o 混合七个倍频程频率范围应用航天与国防主义  产品规格零件号 

2023-02-03 12:41 深圳市鑫琅图科技有限公司 企业号

型号：4913<b class='flag-s-7'>NG</b>-VB 品牌：微碧

高功率和高效率的电源管理和功率转换应用。### 4913NG-VB MOSFET详细参数说明- **封装形式**：TO252- **配置**：单N沟道- **漏源

2024-11-12 13:57 微碧半导体VBsemi 企业号