（Gate）和衬底（Substrate）。在讨论MOSFET的工作原理时，源极和漏极的电流是关键参数之一。 在理想情况下
2024-09-18 09:58
MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金属氧化物半导体场效应晶体管）的连续漏极电流是指在MOS管连续工作状态下，从
2024-09-18 09:56
在各类电路图中，我们经常可以看到MOSFET在作开关时，其漏极和源极之间有一个寄生二极管，如图1所示。那么这个二
2023-11-14 16:04
MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种广泛使用的半导体器件，它利用电场来控制电流的流动。在MOSFET中，漏极
2024-09-18 09:52
在电路中常会遇到漏极开路（Open Drain）和集电极开路（Open Collector）两种情形。漏极开路电路概念中提到的“
2017-11-09 12:11
漏极开路（OD）输出，跟集电极开路输出是十分类似的。将上面的三极管换成场效应管即可。这样集电极就变成了漏极，OC就变成了
2017-11-09 14:17
本文介绍了MOSFET的物理实现和操作理论。MOSFET由NMOS和PMOS构成，有截止区、线性区和饱和区。图示了NMOS和PMOS的物理结构，以及针对不同驱动电压的电流-电压曲线。还讨论了饱和区的细节，展示了NMO
2023-11-15 09:30
在关断状态下，功率MOSFET的体二极管结构的设计是为了阻断最小漏极-源极电压值。
2024-02-23 09:38
通常，在功率MOSFET的数据表中的第一页，列出了连续漏极电流ID，脉冲漏极
2021-03-11 10:53
MOSFET，全称为金属-氧化物-半导体场效应晶体管，是一种电压控制的开关器件。它的工作原理是，通过在栅极施加电压，控制漏极和源极之间的
2024-01-03 17:13
