MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金属氧化物半导体场效应晶体管）的连续漏极电流是指在MOS管连续工作状态下，从
2024-09-18 09:56
【科普小贴士】MOSFET的性能：漏极电流和功耗
2023-12-07 17:23
（Gate）和衬底（Substrate）。在讨论MOSFET的工作原理时，源极和漏极的电流是关键参数之一。 在理想情况下，MOSFET的源
2024-09-18 09:58
已经为基于 GaN 的高电子迁移率晶体管(HEMT)的增强模式开发了两种不同的结构。这两种模式是金属-绝缘体-半导体 (MIS) 结构，2具有由电压驱动的低栅极泄漏电流，以及栅极注入晶体管 (GIT
2022-07-29 09:19
已经为基于 GaN 的高电子迁移率晶体管 （HEMT）的增强模式开发了两种不同的结构。这两种模式是金属-绝缘体-半导体 （MIS） 结构，2具有由电压驱动的低栅极漏电流，以及栅极注入晶体管 （GIT
2022-07-25 08:05
I D I_DID 为漏极电流的有效值，由于输出波形是正弦波，所以漏极电流
2020-11-21 10:26
源极和漏极的区别 源极和漏极是晶体管中的两个重要
2023-12-07 15:48
N沟道场效应管栅极（G极）电压是否可以大于漏极（D极）电压？ 大部分情况下，场效应管的栅极电压（G极）不会大于
2023-11-23 09:13
FET的小信号等效模型FET的输出特性可知，漏极电流Id与漏源电压和栅源电压的关系为
2009-09-16 10:01
漏极电流（Id） 漏极电流是指在特定栅极电压（Vgs）和
2025-05-14 10:18
