MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金属氧化物半导体场效应晶体管）的连续漏极电流是指在MOS管连续工作状态下，从
2024-09-18 09:56
（Gate）和衬底（Substrate）。在讨论MOSFET的工作原理时，源极和漏极的电流是关键参数之一。 在理想情况下，MOSFET的源
2024-09-18 09:58
I D I_DID 为漏极电流的有效值，由于输出波形是正弦波，所以漏极电流
2020-11-21 10:26
MOSFET工作在饱和区时，具有信号放大功能，栅极的电压和漏极的电流基于其跨导保持一定的约束关系，栅极的电压和漏极的
2023-11-27 18:03
通常，在功率MOSFET的数据表中的第一页，列出了连续漏极电流ID，脉冲漏极电流
2021-03-11 10:53
碳化硅MOSFET（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）是一种半导体器件，它的工作原理是通过控制门电压来控制通过源极和漏极的
2023-02-15 15:43
场效应管（FET）是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，即栅源电压VG控制漏极电流ID。
2022-09-09 15:12
mos管工作原理：它是利用VGS来控制“感应电荷”的多少，以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况，然后达到控制漏极电流的目的。在制造管子时，通过工艺使绝缘层中出现大量正离子，故在交界面的另一侧
2017-10-24 15:22
本文介绍了MOSFET的物理实现和操作理论。MOSFET由NMOS和PMOS构成，有截止区、线性区和饱和区。图示了NMOS和PMOS的物理结构，以及针对不同驱动电压的电流-电压曲线。还讨论了饱和区的细节，展示了NMOS和PMOS的漏
2023-11-15 09:30
在转移特性曲线上，gm 是曲线在某点上的斜率，也可由iD的表达式求导得出，单位为 S 或 mS。（6） 最大漏极电流 IDM（7） 最大漏
2017-05-09 16:22
