MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种广泛使用的半导体器件，它利用电场来控制电流的流动。在MOSFET中，漏极电压（Vd）是指漏
2024-09-18 09:52
我们将以12 W 通用输入恒压适配器为例进行讲解，该适配器使用TinySwitch®-III 器件设计而成。 所需设备 要完成本课程，您需要准备好一个功能完备的电
2010-11-22 11:32
8.2.4饱和漏极电压8.2金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)第８章单极型功率开关器件《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容：8.2.3MOSFET电流-
2022-02-25 09:29 深圳市致知行科技有限公司 企业号
8.1.3饱和漏极电压8.1结型场效应晶体管(JFET)第８章单极型功率开关器件《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容：8.1.2电流-电压关系∈《碳
2022-02-18 10:11 深圳市致知行科技有限公司 企业号
N沟道场效应管栅极（G极）电压是否可以大于漏极（D极）电压？ 大部分情况
2023-11-23 09:13
MOSFET开关管漏极电压的测量
2018-07-13 15:56
科锐公司（CREE）宣布推出两项新型GaN工艺：0.25微米、漏极电压最高为40V的G40V4和0.4微米、漏极
2012-07-18 14:30
HMC920LP5E是一款有源偏置控制器，可生成调节漏极电压并主动调节外部放大器的栅极电压，实现恒定偏置电流。 该器件可用来偏置任何工作在A类的增强型和耗尽型放大器，
2025-03-21 15:26
MOSFET的击穿有哪几种? Source、Drain、Gate 场效应管的三极:源级S 漏级D 栅级G (这里不讲栅极GOX击穿了啊，只针对漏极
2018-01-22 12:15
