半导体内部是由长达数万米的金属配线而组成，而溅射靶材则是用于制作这些配线的关键消耗材料。如苹果A10处理器，指甲盖大小的芯片上密布着上万米金属导线，这些密布的电路必须要对高纯度的金属靶材通过溅射的方式形成。
2018-06-15 11:40
当溅射原子经过Ar等离子体时， 高能量的原子会经过多次散射而降低能量， 因此， 增加Ar的压强（p）或者溅射靶材和基板之间的距离（L）， 会减轻对有机层的破坏． 无机金属薄层在给有机层提供保护的同时
2018-06-08 16:00
电子在电场E的作用下，在飞向基片过程中与氩原子发生碰撞，使其电离产生出Ar正离子和新的电子；新电子飞向基片，Ar离子在电场作用下加速飞向阴极靶，并以高能量轰击靶表面，使靶材发生溅射。
2023-06-27 10:08
由于磁控溅射铁磁性靶材的难点是靶材表面的磁场达不到正常磁控溅射时要求的磁场强度，因此解决的思路是增加铁磁性靶材表面剩磁的强度，以达到正常溅射工作对靶材表面磁场大小的要求。
2019-04-29 11:34
在现代工业和科技应用中，压力变送器是不可或缺的关键元件之一。而在特定环境下，如受到高强度震动冲击、高温高压等极端条件的影响时，溅射薄膜压力变送器就显得尤为重要。溅射薄膜技术是一种先进的制造工艺，它为
2023-11-22 17:40
溅射是一种在晶圆表面形成金属薄膜的物理气相沉积(PVD)6工艺。如果晶圆上形成的金属薄膜低于倒片封装中的凸点，则被称为凸点下金属层(UBM，Under Bump Metallurgy)。通常凸点下
2023-10-20 09:42
真空技术是结合机械、电机、材料、化工和航太等技术发展出来的产业，亦是目前我国与美、日等国极力推动之十大新兴产业之一。真空技术应用范围日趋广泛，运用对象包括光电、半导体和LCD产业等，近年来尤其在光电、IC和LCD等产业之制造设备，更是成长迅速。
2019-09-12 16:42
蒸发镀膜，是将膜料加热蒸发为气相后沉积到衬底表面，此种成膜方式决定了蒸发出的粒子能量只能在 0.1-0.3ev，原子动能太低，填充密度太低。
2017-12-05 08:59
通过分析光谱，此时UV LED的峰值波长为368nm（图3a）。在这种波长下，磁控溅射工艺ITO膜的透过率为86%，MOCVD工艺ITO膜的透过率为95%。 然而磁控溅射工艺ITO膜的电阻率小于使用MOCVD工艺的ITO膜， 磁控
2018-08-08 18:16
磁控溅射技术是在真空中，经电场作用，将氩气电离成Ar+正离子，Ar+经加速后撞击靶材膜料，从而溅射到衬底上，制成薄膜。
2024-03-20 11:27
