和突然，因为通常的观点都认为，MOSFET的导通电阻具有正的温度系数，因此可以并联工作。当多个并联工作的功率MOSFET其中的一个温度上升时，由于其具有正的
2016-09-26 15:28
个确定值，根据硅片允许的最大工作结温TJ和裸露铜皮的温度TC，为常温25℃，就可以得到器件允许的最大的功耗PD，当功率MOSFET流过最大的连续漏极电流时，产生最大功耗为PD。因此，二式联立，可以得到
2016-08-15 14:31
有些功率MOSFET的数据表中列出了重复雪崩电流IAR和重复雪崩能量EAR，同时标注了测量条件，通常有起始温度25C，最高结温150C或者175C，以及电感值、脉冲宽度和脉冲频率，这些测量的条件
2017-09-22 11:44
关于MOSFET的寄生容量和温度特性关于MOSFET的开关及其温度特性关于MOSFET的VGS(th) (界限値)ID-
2019-04-10 06:20
的。例如，导通时间可解释为“VGS上升到10%后，到MOSFET导通10%的时间”。开关特性的温度特性这些开关时间随着温度上升略有増加趋势。由于温度上升100℃约增加1
2018-11-28 14:29
【不懂就问】在单端反激电路中常见的一部分电路就是RCD组成的吸收电路，或者钳位电路，与变压器原边并联其目的是吸收MOSFET在关断时，引起的突波，尖峰电压电流到那时MOSFET是压控器件，为什么在关断时会引起尖峰电压
2018-07-10 10:03
允许的最大功耗。归算到环境温度的热阻是布板，散热片和散热面积的函数，如果散热条件良好，可以极大提升MOSFET的功耗水平。2. 漏极（沟道）电流规格书中会定义最大持续漏极电流
2018-07-12 11:34
是否有白皮书明确规定了如何使用 MosFET 开启特性来抑制浪涌电流？ 设计类似于 TLE9853 评估板，H-bridge 具有更大的 Mosfet。 通过模拟感性负载，我们 CAN 控制
2024-01-29 07:41
VGS(th)，值在3V～5V之间。顺便提一下，不仅局限于MOSFET，相对于输入，输出和功能的导通/关断等某种状态改变的电压和电流的值称为“阈值”。VGS(th)、ID-VGS与温度特性首先从表示
2018-11-28 14:28
要充分认识 SiC MOSFET 的功能，一种有用的方法就是将它们与同等的硅器件进行比较。SiC 器件可以阻断的电压是硅器件的 10 倍，具有更高的电流密度，能够以 10 倍的更快速度在导通和关断
2017-12-18 13:58
