个确定值，根据硅片允许的最大工作结温TJ和裸露铜皮的温度TC，为常温25℃，就可以得到器件允许的最大的功耗PD，当功率MOSFET流过最大的连续漏极电流时，产生最大功耗为PD。因此，二式联立，可以得到
2016-08-15 14:31
和突然，因为通常的观点都认为，MOSFET的导通电阻具有正的温度系数，因此可以并联工作。当多个并联工作的功率MOSFET其中的一个温度上升时，由于其具有正的
2016-09-26 15:28
理解功率MOSFET的RDS(ON)温度系数特性 通常，许多资料和教材都认为，MOSFET的导通电阻具有正的温度系数，因此可以并联工作。当其中一个并联的
2009-11-10 10:53
MOSFET栅极电路电压对电流的影响？MOSFET栅极电路电阻的作用？ MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）是一种广泛应用于电子设备中的半导体器件。在
2023-10-22 15:18
MOSFET管并联应用时电流分配不均问题探究 1 引言 MOSFET管的导通电阻具有正的温度特性，可自动调节
2009-11-02 10:04
有些功率MOSFET的数据表中列出了重复雪崩电流IAR和重复雪崩能量EAR，同时标注了测量条件，通常有起始温度25C，最高结温150C或者175C，以及电感值、脉冲宽度和脉冲频率，这些测量的条件
2017-09-22 11:44
具有动态温度补偿的修正 MOSFET 模型
2022-11-15 20:07
【不懂就问】在单端反激电路中常见的一部分电路就是RCD组成的吸收电路，或者钳位电路，与变压器原边并联其目的是吸收MOSFET在关断时，引起的突波，尖峰电压电流到那时MOSFET是压控器件，为什么在关断时会引起尖峰电压
2018-07-10 10:03
的。例如，导通时间可解释为“VGS上升到10%后，到MOSFET导通10%的时间”。开关特性的温度特性这些开关时间随着温度上升略有増加趋势。由于温度上升100℃约增加1
2018-11-28 14:29
在大电流应用中利用 SiC MOSFET 模块
2023-01-03 14:40
