在本文中，我将分享关于MOSFET中几个关键温度参数的计算方法：TJ（结温）、TA（环境温度）和TC（外壳温度）。 1. MOS
2024-08-15 17:00
理解功率MOSFET的RDS(ON)温度系数特性 通常，许多资料和教材都认为，MOSFET的导通电阻具有正的温度系数，因此可以并联工作。当其中一个并联的
2009-11-10 10:53
具有动态温度补偿的修正 MOSFET 模型
2022-11-15 20:07
的。例如，导通时间可解释为“VGS上升到10%后，到MOSFET导通10%的时间”。开关特性的温度特性这些开关时间随着温度上升略有増加趋势。由于温度上升100℃约增加1
2018-11-28 14:29
和突然，因为通常的观点都认为，MOSFET的导通电阻具有正的温度系数，因此可以并联工作。当多个并联工作的功率MOSFET其中的一个温度上升时，由于其具有正的
2016-09-26 15:28
本文论述了功率MOSFET管导通电阻的正温度系数和负温度系数的双重特性以及相对应的VGS的转折电压，功率MOSFET管在开通和关断时要跨越这两个区域的工作过程。
2023-02-16 11:22
继上一篇MOSFET的开关特性之后，本篇介绍MOSFET的重要特性--栅极阈值电压、ID-VGS特性、以及各自的温度特性。
2023-02-09 10:19
对MOSFET的重要设计参数进行介绍。 1. 功率损耗MOSFET的功率损耗主要受限于MOSFET的结温，基本原则就是任何情况下，结温不能超过规格书里定义的最高温度。而
2018-07-12 11:34
预测。任何有助于将热量从设备中带走的东西-散热孔，铜浇口，散热器，风扇-都将使设备耗散更多的功率而不会过热。温度影响温度的变化会导致其他所有事物发生变化。下图给出了温度如何影响
2019-10-25 09:40
