AT25512N-SH-T:高效存储解决方案在当今电子产品日益复杂的环境中,可靠和高效的数据存储解决方案显得尤为重要。Microchip(美国微芯)推出的AT25512N-SH-T是一款高性能
2024-11-05 10:19 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
作用距离。在某些条件下,距离甚至可以达到600mm。P-SH-N离子棒提供稳定的离子中和能力,应用广泛,能快速消除工件表面静电,避免灰尘、杂质吸附在产品上影响品质,
2021-12-10 15:25 深圳市荣盛源科技有限公司 企业号
使用,双排离子针设计,消电速度更快,标配5米橡胶高压电缆线。在某些条件下,P-Sh-N-Ex棒工作距离能够中和200毫米内的材料表面静电,适合安装于喷涂,涂布等需防
2021-12-10 15:36 深圳市荣盛源科技有限公司 企业号
。在某些条件下,距离甚至可以达到600mm。P-SH-N离子棒提供稳定的离子中和能力,应用广泛,能快速消除工件表面静电,避免灰尘、杂质吸附在产品上影响品质,P-S
2024-12-27 15:28 深圳市荣盛源科技有限公司 企业号
EP4CE10F17I7N,Cyclone IV FPGA设备,INTEL/ALTERAEP4CE10F17I7N,Cyclone IV FPGA设备,INTEL
2023-02-20 17:03 深圳市金和信科技有限公司 企业号
TTM Technologies 的 J100N50X4B 是一款端接器,频率 DC 至 4 GHz、功率 100 W、回波损耗 22 至 26 dB、工作温度 -55 至 150 摄氏度。标签
2023-08-17 15:43 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
TTM Technologies 的 I100N50X4B 是一款端接器,频率 DC 至 4 GHz、功率 100 W、回波损耗 22 至 26 dB、工作温度 -55 至 150 摄氏度。标签
2023-08-17 15:41 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
### AP13N50I-VB 产品简介AP13N50I-VB是一款单N沟道MOSFET,封装形式为TO220F,采用平面结构技术。该器件适用于中高压应用,具有较高的漏
2024-12-16 15:51 微碧半导体VBsemi 企业号
### AP11N50I-VB MOSFET 产品简介AP11N50I-VB 是一款高压单 N-沟道 MOSFET,适用于需要处理高电压的电子应用。其采用 TO220F
2024-12-16 15:27 微碧半导体VBsemi 企业号