本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路实验(SCT)表现。具体而言，该实验的重点是在不同条件下进行专门的实验室测量，并借助一个稳健的有限元法物理模型来证实和比较测量值，对短路行为的动态变化进行深度评估。
2019-08-02 08:44
开关管MOSFET的功耗分析MOSFET的损耗优化方法及其利弊关系
2020-12-23 06:51
引线上添加了一个 2N7000 MOSFET 开关，导致传感器的栅极由 GPIO12 打开深度睡眠并在深度睡眠之前关闭。问题是在我添加 MOSFET 开关后它没有打开并
2023-05-11 08:27
我迫切需要分析 st 半导体的 mosfet 及其损坏原因。有人能告诉我是否可以在德国或至少在欧洲的 ST 内部对损害及其可能原因进行分析和评估吗？还是组件必须运到远亚？
2023-01-31 07:55
双极性晶体管与MOSFET对比分析哪个好？
2021-04-20 06:36
什么是MOSFET驱动器？MOSFET驱动器功耗包括哪些部分？如何计算MOSFET的功耗？
2021-04-12 06:53
为什么说提高存储深度可以提高示波器同时分析高频和低频现象的能力？
2011-12-10 20:07
有人可以向我解释以下MOSFET差分放大器电路的定性和定量分析，以解释为什么Vs = -0.5 V且右手MOSFET“导通”？该电路的目标是使M2（左侧）MOSFET在
2018-09-14 11:42
电路设计如图；问题：MOSFET测量栅极有开启电压+3.6V，漏极电压+12V，但是源极电压测量为+1V;分析：有可能是MOSFET坏了，除了这个可能性，不清楚是不是设计上有问题，希望大家帮忙，目前源极没有接负载，这
2019-09-11 14:32
通过对同步交流对交流(DC-DC)转换器的功耗机制进行详细分析，可以界定必须要改进的关键金属氧化物半导体场效晶体管(MOSFET)参数，进而确保持续提升系统效率和功率密度。分析显示，在研发功率
2019-07-04 06:22
