国产碳化硅MOSFET行业乱象的深度分析，产品乱象本质上是技术追赶期“速度”与“质量”失衡的产物。唯有通过技术深耕、标准完善与生态重构，才能实现从“低端内卷”向“高端引领”的跨越。从“唯参数论”转向“全生命周期质量评
2025-03-01 08:21
MOSFET失效原因全分析
2019-03-04 23:17
功率MOSFET雪崩击穿问题分析 摘要：分析了功率MOSFET雪崩击穿的原因，以及MOSFET故障时
2009-07-06 13:49
功率MOSFET雪崩特性分析
2023-12-04 14:12
最近分析了Mosfet的寄生参数，其中Eoss是一个非常重要的参数。
2023-03-08 15:03
第四部份似乎很相似，这样做可行么？问题分析：系统短路的时候，功率MOSFET相当于工作在放大的线性区，降低驱动电压，可以降低跨导限制的最大电流，从而降低系统的短路电流，从短路保护的角度而言，确实有一定
2016-12-21 11:39
本帖最后由 张飞电子学院鲁肃 于 2021-1-30 13:21 编辑 本文详细分析计算功率MOSFET开关损耗，并论述实际状态下功率MOSFET的开通过程和自然零电压关断的过程，从而使电子
2021-01-30 13:20
存储深度（Memory Depth）是数字示波器的核心参数之一，它直接决定了示波器在单次采集过程中能够记录的采样点数量。存储深度对信号分析的影响贯穿时域细节捕捉、频域分析
2025-05-27 14:39
张兴柱之MOSFET分析
2014-06-19 21:11
为精确估算高频工作状态下SiC MOSFET的开关损耗及分析寄生参数对其开关特性的影响，提出了一种基于SiC MOSFET的精准分析模型。该模型考虑了寄生电感、SiC
2018-03-13 15:58
