CMOS工艺发展到深亚微米阶段，芯片的静电放电（ESD）保护能力受到了更大的限制。因此，需要采取更加有效而且可靠的ESD保护措施。基于改进的SCR器件和STFOD结构，
2012-03-27 16:27
1 深亚微米 BiCMOS[B] 技术 器件进入深亚微米特征尺
2018-03-16 10:29
TSMC推出最新深亚微米互通式EDA格式 TSMC 7日宣布针对65纳米、40纳米及28纳米工艺推出已统合且可交互操作的多项电子设计自动化(Electronic Design Automatio
2010-04-09 10:36
分析了在超深亚微米阶段，串扰对高性能芯片设计的影响，介绍了消除串扰影响的方法。 关键词：串扰，布线，关键路径，
2009-05-05 20:59
一种全新的深亚微米IC设计方法 本文分析了传统IC设计流程存在的一些缺陷，并且提出了一种基于Logical Effort理论的全新IC设计方法。 众所周知，传统的IC设计流
2009-12-27 13:28
新型深亚微米电流灵敏放大器技术设计 随着便携式电子设备(PDA、射频卡、GPS等)的广泛应用，半导体存储器得到了长足的发展。半导体存储器的性能
2010-04-27 17:37
BiCMOS[B]的 Twin-Well[1]与P-Well[2]或 N-Well[3] 的制造技术有很大的不同。主要是 CMOS 特征尺寸为亚微米级，使制造技术发生了重要的变化。 由于器件
2017-12-18 14:30
在亚微米以下的电路设计中，需要对电路进行全芯片的ESD保护结构的设计。如何使全芯片有效面积尽可能小、ESD性能可靠性满足要求且不需要增加额外的工艺步骤成为全芯片设计者的主
2012-04-23 10:17
据江阴发布的信息透露，此次发布的亚微米互联技术依托本土设备技术实力，运用大视场光刻技术达到了0.8um/0.8um的线宽线距技术水准，所生产的硅穿孔转接板产品达到3倍光罩尺寸，这标志着盛合晶微在先进封装技术领域迈入亚
2024-05-20 11:47
片上集成系统（SoC）是集成电路发展的重要方向。由于数字信号处理的诸多优点以及近年来数字集成电路性能的提高与成本的下降，数字电路在SoC系统中的地位越来越重要。由于人们总是需要将数字信号转换为现实世界中对应的物理量，因此数模转换器（DAC）成为SoC系统中不可缺少的重要模块。随着数字信号处理速度的不断提高，SoC系统对高速DAC的需求也更加迫切。在通信、测量、自动控制、多媒体等诸多领域，高速DAC都有广泛的应用，并且其性能对系统的整体性能有重要的影响。高速DAC的设计，对于实现良好的高性能SoC系统的设计具有重要的意义。
2020-08-05 14:24
