1 深亚微米 BiCMOS[B] 技术 器件进入深亚微米特征尺
2018-03-16 10:29
在亚微米以下的电路设计中，需要对电路进行全芯片的ESD保护结构的设计。如何使全芯片有效面积尽可能小、ESD性能可靠性满足要求且不需要增加额外的工艺步骤成为全芯片设计者的主
2012-04-23 10:17
对于35微米通孔，则有两种情况，一种情况是调整一下外光路和激光参数或者采取激光焦点离焦的做法，让激光对铜箔的有效光斑加大到35微米，采用和25微米通孔钻孔一样的烧孔方式加工，这样可以快速烧出需要
2018-09-07 15:19
像素中心之间的距离有几个至十几个微米不等。为了最大限度利用图像信息来提高分辨率，有人提出了亚像素概念。意思是说，在两个物理像素之间还有像素，称之为亚像素，它完全是通过计算方法得出来的。
2023-07-31 15:53
CMOS 工艺技术平台的电容包括 MIM 和 PIP （Poly Insulator Poly）。PIP 主要应用在0.35μm及以上的亚微米及微米工艺技术，MIM 主
2024-12-04 16:14
在微米尺度上引导分子运动（molecular movement）有可能将光转化为可持续能源（sustainable energy）。
2023-01-11 10:49
摘 要：EDA技术是现代电子设计技术的核心，它在现代集成电路设计中占据重要地位。随着深亚微米与超深亚
2011-05-27 10:50
近年来，有关将CMOS工艺在射频（RF）技术中应用的可能性的研究大量增多。深亚微米技术允许CMOS电路的工作频率超过1G
2017-11-25 11:07
本次仿真的是2006年的论文[1]，结构简单，无三极管，利用CMOS亚阈值导电指数特性做温度补偿替代三极管，极大减小了面积和功耗，能在低压工作，但是温度特性较差。
2023-11-21 18:19
本文主要阐述使用红外热像对微米级别的LED芯片内器件进行温度检测分析的方法，通过现场案例表明使用红外热像检测小目标的效果，使读者对红外热像这种新型的温度检测和分析方法有较为深刻的认识。##使用换装微距镜头的热像仪检测 LED芯片的注意事项。
2014-12-10 10:21
