CMOS工艺发展到深亚微米阶段，芯片的静电放电（ESD）保护能力受到了更大的限制。因此，需要采取更加有效而且可靠的ESD保护措施。基于改进的SCR器件和STFOD结构，
2012-03-27 16:27
1 深亚微米 BiCMOS[B] 技术 器件进入深亚微米特征尺
2018-03-16 10:29
超深亚微米IC设计中的天线效应李蜀霞 刘辉华 赵建明 何春(电子科技大学电子电子科学技术研究院 成都 610054)【摘要】本文主要分析了超深
2009-12-19 14:54
本文通过对传统大规模集成电路设计流程的优化，得到了更适合于深亚微米工艺集成电路的后端设计流程，详细介绍了包括初步综合、自定义负载线的生成、版图规划、时钟树综合
2009-12-14 11:03
随着工艺的发展，器件阈值电压的降低，导致静态功耗呈指数形式增长。进入深亚微米工艺后，静态功耗开始和动态功耗相抗衡，已成为低功耗设计一个不可忽视的因素。针对近
2009-09-15 10:18
TSMC推出最新深亚微米互通式EDA格式 TSMC 7日宣布针对65纳米、40纳米及28纳米工艺推出已统合且可交互操作的多项电子设计自动化(Electronic Design Automatio
2010-04-09 10:36
分析了在超深亚微米阶段，串扰对高性能芯片设计的影响，介绍了消除串扰影响的方法。 关键词：串扰，布线，关键路径，
2009-05-05 20:59
基于深亚微米MOS 器件沟道的热噪声浅析曾献芳摘要： 随着 MOS 器件工艺尺寸的不断减小，其不断增高的单位增益截止频率足以满足射频/模拟电路的工作要求。然而，随着沟
2009-12-15 14:31
一种全新的深亚微米IC设计方法 本文分析了传统IC设计流程存在的一些缺陷，并且提出了一种基于Logical Effort理论的全新IC设计方法。 众所周知，传统的IC设计流
2009-12-27 13:28
数字集成电路分析与设计:深亚微米工艺免费下载。
2021-05-12 14:52
