1.理想模型所谓理想模型,是指在正向偏置时,其管压降为零,相当于开关的闭合。当反向偏置时,其电流为零,阻抗为无穷,相当于开关的断开。具有这种理想特性的
2019-05-22 09:06
用“DCPOWERSUPPLY”仪（恒流稳压直流电流）测试：先给小电压以便有电流通过肖特基二极管，再慢慢调大电流达到被测肖特基二极管的额定电流，待电压值稳定后再读数
2018-11-19 15:24
肖特基二极管MUR3040PT的反向击穿电压和正向压降测试记录 测试器件MUR3040PT(ON)测试项目1.二极管反向击穿电压
2015-08-14 09:53
） MOSFET,以节省一个 MOSFET.通过在理想二极管和热插拔 MOSFET 之间配置检测电阻器，LTC4228 比 LTC4225 有了改进，LTC4228 能更快地从输入
2018-09-29 16:41
DN1003- 理想二极管控制器可消除功率或应用中的能量浪费二极管
2019-05-27 10:43
低压降肖特基二极管是一种具有开关频率高和正向压降低优点的二极管，它的反恢复时间可以小到几纳秒，正向导通压降0.4~0.6V左右，而这种
2020-10-28 16:49
0.61V，这样就大大的提升了工作效率，所以低压降肖特基二极管能广泛的应用于有六级能效要求的方案中。另外，低压降肖特基二极管的反向恢复时间可以小到几纳秒，而且它的整流电
2022-01-24 15:00
承受很高的反向工作电压。快恢复二极管的反向恢复时间一般为几百纳秒，正向压降约为0.6V，正向电流是几安培至几千安培，反向峰值电压可达几百到几千伏。整流
2023-02-17 14:08
低压降二极管的检测主要是判断低压降二极管的极性和检测低压降二极管的好坏
2015-11-27 17:49
LTC4353控制外部MOSFET来实现一个理想的二极管功能。它取代了两个高功率肖特基二极管和其相关的散热器，节省功耗和电路板面积。LTC4353调节横跨正向压
2012-11-16 17:11
